只能進行表面分析的方法

㈠ 表面分析技術有哪些

股票投資中，我們總會根據各類股票技術分析指標來進行股票趨勢的分析，那麼，股票技術分析常用指標有哪些？
1、MACD指標又叫指數平滑異同移動平均線，是由查拉爾？阿佩爾（GeraldApple）所創造的，是一種研判股票買賣時機、跟蹤股價運行趨勢的技術分析工具；
2、隨機指標（Stochastics）KDJ，其綜合動量觀念，強弱指標及移動平均線的優點，後被廣泛用於股市的中短期趨勢分析；
3、威廉指標W%R，又叫威廉超買超賣指標，簡稱威廉指標，是目前股市技術分析中比較常用的短期研判指標；
4、相對強弱指標RSI又叫力度指標，其英文全稱為「RelativeStrengthIndex」，是目前股市技術分析中比較常用的中短線指標；
5、CR指標又叫中間意願指標，是分析股市多空雙方力量對比、把握買賣股票時機的一種中長期技術分析工具；
6、SAR指標又叫拋物線指標或停損轉向操作點指標，其全稱叫「StopandReveres，縮寫SAR」，是一種簡單易學、比較准確的中短期技術分析工具；
7、CCI指標又叫順勢指標，其英文全稱為「CommodityChannelIndex」，是一種重點研判股價偏離度的股票技術分析工具；
8、MTM指標又叫動量指標，其英文全稱是「MomentomIndex」，是一種專門研究股價波動的中短期技術分析工具；
9、BOLL指標又叫布林線指標，其英文全稱是「BolingerBands」，是研判股價運動趨勢的一種中長期技術分析工具；
10、TRIX三重指數平滑移動平均指標，其英文全名為「」，是一種研究股價趨勢的中長期技術分析工具；
11、DMI指標又叫動向指標或趨向指標，其全稱叫「DirectionalMovementIndex，簡稱DMI」，也是由美國技術分析大師威爾斯？威爾德（WellsWilder）所創造的，是一種中長期股票技術分析方法；
12、OBV指標又叫能量潮指標，是由美國股市分析家葛蘭碧所創造的，是一種重點研判股市成交量的短期技術分析工具；
13、MIKE指標又叫麥克指標，其英文全稱是「MikeBase」，是一種專門研究股價各種壓力和支撐的中長期技術分析工具；
14；DMA指標又叫平行線差指標，是目前股票技術分析指標中的一種中短期指標，它常用於大盤指數和個股的研判；

㈡ 常用的表面分析技術有哪些

在20世紀60年代超高真空和高分辨高靈敏電子測量技術建立和發展的基礎上，已開發了數十種表面分析技術，其中主要有場致發射顯微技術、電子能譜、電子衍射、離子質譜、離子和原子散射以及各種脫附譜等類。70年代後期建立的同步輻射裝置，能提供能量從紅外到硬X 射線區域內連續可調的偏振度高和單色性好的強輻射源，又大大增強了光（致）發射電子能譜用於研究固體表面電子態的能力,開發了光電子衍射和表面X射線吸收邊精細結構。此外，電子順磁共振、紅外反射、增強喇曼散射、穆斯堡爾譜學、非彈性電子隧道譜、橢圓偏振等，也用於某些表面分析場合。

㈢ 為什麼電子能譜是表面分析方法，它可以用於材料的體相分析嗎

X射線電子能譜之所以是表面分析方法，是因為由X射線激發的光電子的穿透能力較弱引起的。1KeV的X射線可以穿透1000nm，但是相同能量的光電子只能穿透大約10個nm的表面層，所以測量出射電子的XPS僅對表面靈敏。

㈣ 簡述有哪些適用於材料表面組成確定的分析方法

表面分析方法有四種方法：

1. 俄歇電子能譜

2. 紫外電子能譜

3. 光電子能譜

4. 離子探針顯微分析

㈤ X射線光電子能譜適用於哪些的分析對樣品有什麼特殊要求么

1x射線光電子能譜技術是一種表面分析方法， 使用X射線去輻射樣品，使原子或分子的內層電子或價電子受激發射出來，被光子激發出來的電子稱為光電子，可以測量光電子的能量和數量，從而獲得待測物組成。XPS主要應用是測定電子的結合能來鑒定樣品表面的化學性質及組成的分析，其特點在光電子來自表面10nm以內，僅帶出表面的化學信息，具有分析區域小、分析深度淺和不破壞樣品的特點，廣泛應用於金屬、無機材料、催化劑、聚合物、塗層材料礦石等各種材料的研究，以及腐蝕、摩擦、潤滑、粘接、催化、包覆、氧化等過程的研究。
2.可以為客戶分析產品質量
（1）當產品表面存在微小的異物，而常規的成分測試方法無法准確對異物進行定性定量分析，可選擇XPS進行分析，XPS能分析≥10μm直徑的異物成分以及元素價態，從而確定異物的化學態，對失效機理研究提供准確的數據。
（2）當產品表面膜層太薄，無法使用常規測試進行厚度測量，可選擇XPS進行分析，利用XPS的深度濺射功能測試≥20nm膜厚厚度。
（3）當產品表面有多層薄膜，需測量各層膜厚及成分，利用D-SIMS能准確測定各層薄膜厚度及組成成分。
（4）當產品的表面存在同種元素多種價態的物質，常規測試方法不能區分元素各種價態所含的比例，可考慮XPS價態分析，分析出元素各種價態所含的比例。
3.注意事項
（1）樣品最大規格尺寸為1×1×0.5cm，當樣品尺寸過大需切割取樣。
（2）取樣的時候避免手和取樣工具接觸到需要測試的位置，取下樣品後使用真空包裝或其他能隔離外界環境的包裝， 避免外來污染影響分析結果。
（3）XPS測試的樣品可噴薄金（不大於1nm），可以測試弱導電性的樣品，但絕緣的樣品不能測試。
（4）XPS元素分析范圍Li-U，只能測試無機物質，不能測試有機物物質，檢出限0.1%。

㈥ 什麼是俄歇技術

哦 這個嘛！……

俄歇電子能譜基本原理及應用
入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特徵X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。對於一個原子來說,激發態原子在釋放能量時只能進行一種發射：特徵X射線或俄歇電子。原子序數大的元素，特徵X射線的發射幾率較大，原子序數小的元素，俄歇電子發射幾率較大，當原子序數為33時，兩種發射幾率大致相等。因此，俄歇電子能譜適用於輕元素的分析。
如果電子束將某原子K層電子激發為自由電子，L層電子躍遷到K層，釋放的能量又將L層的另一個電子激發為俄歇電子，這個俄歇電子就稱為KLL俄歇電子。同樣，LMM俄歇電子是L層電子被激發，M層電子填充到L層，釋放的能量又使另一個M層電子激發所形成的俄歇電子。
對於原子序數為Z的原子,俄歇電子的能量可以用下面經驗公式計算：
EWXY(Z)=EW(Z)-EX(Z)-EY(Z+Δ)-Φ (10.6)
式中， EWXY(Z)：原子序數為Z的原子，W空穴被X電子填充得到的俄歇電子Y的能量。
EW(Z)-EX(Z)：X電子填充W空穴時釋放的能量。
EY(Z+Δ)：Y電子電離所需的能量。
因為Y電子是在已有一個空穴的情況下電離的，因此，該電離能相當於原子序數為Z和Z+1之間的原子的電離能。其中Δ=1/2-1/3。根據式(10.6)和各元素的電子電離能，可以計算出各俄歇電子的能量，製成譜圖手冊。因此，只要測定出俄歇電子的能量，對照現有的俄歇電子能量圖表，即可確定樣品表面的成份。 由於一次電子束能量遠高於原子內層軌道的能量，可以激發出多個內層電子，會產生多種俄歇躍遷，因此,在俄歇電子能譜圖上會有多組俄歇峰，雖然使定性分析變得復雜，但依靠多個俄歇峰,會使得定性分析准確度很高，可以進行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時,還可以利用俄歇電子的強度和樣品中原子濃度的線性關系,進行元素的半定量分析,俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為1.0-3.0nm,絕對靈敏可達到10-3單原子層。是一種很有用的分析方法。
AES的應用
AES最主要的應用是進行表面元素的定性分析。AES譜的范圍可以收集到20-1700eV。因為俄歇電子強度很弱，用記錄微分峰的辦法可以從大的背景中分辨出俄歇電子峰，得到的微分峰十分明銳，很容易識別。圖10.14是銀原子的俄歇電子能譜，其中，曲線a為各種電子信息譜，b為曲線a放大10倍，c為微分電子譜，N(E)為能量為E的電子數，利用微分譜上負峰的位置可以進行元素定性分析。圖10.15是金剛石表面Ti薄膜的AES譜，分析AES譜中知道，該薄膜表面含有C，Ti和O等元素。當然，在分析AES譜時，要考慮絕緣薄膜的荷電位移效應和相鄰峰的干擾影響。與XPS相似，AES也能給出半定量的分析結果。這種半定量結果是深度為1-3nm表面的原子數百分比。
AES法也可以利用化學位移分析元素的價態。但是由於很難找到化學位移的標准數據，因此，譜圖的解釋比較困難。要判斷價態,必須依靠自製的標樣進行。
由於俄歇電子能譜儀的初級電子束直徑很細，並且可以在樣品上掃描。因此，它可以進行定點分析，線掃描，面掃描和深度分析。在進行定點分析時，電子束可以選定某分析點，或通過移動樣品，使電子束對准分析點，可以分析該點的表面成份，化學價態和進行元素的深度分布。電子束也可以沿樣品某一方向掃描，得到某一元素的線分布，並且可以在一個小面積內掃描得元素的面分布圖。利用氬離子槍剝離表面，俄歇電子能譜儀同樣可以進行深度分布。由於它的采樣深度比XPS淺,因此，可以有比XPS更好的更深度解析度。進行深度分析也是俄歇電子能譜儀的最有用功能。圖10.16是PZT/Si薄膜界面反應後深度分析譜，圖中濺射時間對應於濺射深度,由圖可以看出，在PZT薄膜與硅基底間形成了穩定的SiO2界面層，這個界面層是由表面擴散的氧與從基底上擴散出來的硅形成的。

㈦ 表面活性的分析方法有哪些

表面活性的分析方法有哪些
凡能引起可燃物與助燃物發生反應的能量來源（常見的是熱能源）稱作著火源.根據其能量來源不同,著火源可分為：明火、高熱物體、化學熱能、電熱能、機械熱能、生物能、光能和核能等.此外,可燃物質燃燒所需的著火能量是不同的,一般可燃氣體比可燃固體和可燃液體所需的著火能量要低.著火源的溫度越高,越容易引起可燃物燃燒.
綜上所述,只有在可燃物、助燃物和著火源三個條件同時具備,而且數量達到一定比例的前提下,互相結合,互相作用,燃燒才能發生.否則,燃燒不能發生.可見,不論採用什麼措施,只要能破壞已經產生的燃燒條件,去掉其中任何一個,火災即可撲滅.
此外,也可運用現代滅火理論,用滅火劑和阻燃劑加入燃燒的鏈反應中,消滅自由基,使鏈增長中斷,從而取得比傳統的滅火手段更為有效的滅火效應.

㈧ 表面分析的概念

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定量構效關系
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定量構效關系(QSAR)是一種藉助分子的理化性質參數或結構參數，以數學和統計學手段定量研究有機小分子與生物大分子相互作用、有機小分子在生物體內吸收、分布、代謝、排泄等生理相關性質的方法。這種方法廣泛應用於葯物、農葯、化學毒劑等生物活性分子的合理設計，在早期的葯物設計中，定量構效關系方法佔據主導地位，1990年代以來隨著計算機計算能力的提高和眾多生物大分子三維結構的准確測定，基於結構的葯物設計逐漸取代了定量構效關系在葯物設計領域的主導地位，但是QSAR在葯學研究中仍然發揮著非常重要的作用。
三維定量構效關系方法：CoMFA
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三維定量構效關系方法：CoMFA
目錄
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* 1 發展歷史
* 2 二維定量構效關系
o 2.1 活性參數
o 2.2 結構參數
o 2.3 數學模型
o 2.4 發展
* 3 三維定量構效關系
o 3.1 CoMFA&CoMSIA
o 3.2 其他三維定量構效關系方法
* 4 方法評價
* 5 參見
* 6 外部鏈接
* 7 參考書目

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發展歷史

定量構效關系是在傳統構效關系的基礎上，結合物理化學中常用的經驗方程的數學方法出現的，其理論歷史可以追溯到1868年提出的Crum-Brown方程，該方程認為化合物的生理活性可以用化學結構的函數來表示，但是並未建立明確的函數模型。最早的可以實施的定量構效關系方法是美國波蒙拿學院的Hansch在1962年提出的Hansch方程。Hansch方程脫胎於1935年英國物理化學家哈密頓提出的哈密頓方程以及改進的塔夫托方程。哈密頓方程是一個計算取代苯甲酸解離常數的經驗方程，這個方程將取代苯甲酸解離常數的對數值與取代基團的電性參數建立了線性關系，塔夫托方程是在哈密頓方程的基礎上改進形成的計算脂肪族酯類化合物水解反應速率常數的經驗方程，它將速率常數的對數與電性參數和立體參數建立了線性關系。

Hansch方程在形式上與哈密頓方程和塔夫托方程非常接近，以生理活性物質的半數有效量作為活性參數，以分子的電性參數、立體參數和疏水參數作為線性回歸分析的變數，隨後，Hansch和日本訪問學者藤田稔夫等人一道改進了Hansch方程的數學模型，引入了指示變數、拋物線模型和雙線性模型等修正，使得方程的預測能力有所提高。

幾乎在Hansch方法發表的同時，Free等人發表了Free-Wilson方法，這種方法直接以分子結構作為變數對生理活性進行回歸分析。其在葯物化學中的應用范圍遠不如Hansch方法廣泛。Hansch方法、Free-Wilson方法等方法均是將分子作為一個整體考慮其性質，並不能細致地反應分子的三維結構與生理活性之間的關系，因而又被稱作二維定量構效關系

二維定量構效關系出現之後，在葯物化學領域產生了很大影響，人們對構效關系的認識從傳統的定性水平上升到定量水平。定量的結構活性關系也在一定程度上揭示了葯物分子與生物大分子結合的模式。在Hansch方法的指導下，人們成功地設計了諾氟沙星等喹諾酮類抗菌葯

由於二維定量不能精確描述分子三維結構與生理活性之間的關系，1980年代前後人們開始探討基於分子構象的三維定量構效關系的可行性。1979年，crippen提出距離幾何學的3D-QSAR；1980年hopfinger等人提出分子形狀分析方法；1988年Cramer等人提出了比較分子場方法（CoMFA）。比較分子場方法一經提出便席捲葯物設計領域，成為應用最廣泛的基於定量構效關系的葯物設計方法；1990年代，又出現了在比較分子場方法基礎上改進的比較分子相似性方法以及在距離幾何學的3DQSAR基礎上發展的虛擬受體方法等新的三維定量構效關系方法，但是老牌的CoMFA依然是使用最廣泛的定量勾銷關系方法。
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二維定量構效關系

二維定量構效關系方法是將分子整體的結構性質作為參數，對分子生理活性進行回歸分析，建立化學結構與生理活性相關性模型的一種葯物設計方法，常見的二維定量構效關系方法有Hansch方法、Free-wilson方法、分子連接性方法等，最為著名和應用最廣泛的是Hansch方法
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活性參數

活性參數是構成二維定量構效關系的要素之一，人們根據研究的體系選擇不同的活性參數，常見的活性參數有：半數有效量、半數有效濃度、半數抑菌濃度、半數致死量、最小抑菌濃度等，所有活性參數均必須採用物質的量作為計量單位，以便消除分子量的影響，從而真實地反應分子水平的生理活性。為了獲得較好的數學模型，活性參數在二維定量構效關系中一般取負對數後進行統計分析。
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結構參數

結構參數是構成定量構效關系的另一大要素，常見的結構參數有：疏水參數、電性參數、立體參數、幾何參數、拓撲參數、理化性質參數以及純粹的結構參數等

* 疏水參數：葯物在體內吸收和分布的過程與其疏水性密切相關，因而疏水性是影響葯物生理活性的一個重要性質，在二維定量構效關系中採用的疏水參數最常見的是脂水分配系數，其定義為分子在正辛醇與水中分配的比例，對於分子母環上的取代基，脂水分配系數的對數值具有加和性，可以通過簡單的代數計算獲得某一取代結構的疏水參數。
* 電性參數：二維定量構效關系中的電性參數直接繼承了哈密頓公式和塔夫托公式中的電性參數的定義，用以表徵取代基團對分子整體電子分配的影響，其數值對於取代基也具有加和性。
* 立體參數：立體參數可以表徵分子內部由於各個基團相互作用對葯效構象產生的影響以及對葯物和生物大分子結合模式產生的影響，常用的立體參數有塔夫托立體參數、摩爾折射率、范德華半徑等。
* 幾何參數：幾何參數是與分子構象相關的立體參數，因為這類參數常常在定量構效關系中占據一定地位，故而將其與立體參數分割考慮，常見的幾何參數有分子表面積、溶劑可及化表面積、分子體積、多維立體參數等
* 拓撲參數：在分子連接性方法中使用的結構參數，拓撲參數根據分子的拓撲結構將各個原子編碼，用形成的代碼來表徵分子結構。
* 理化性質參數：偶極矩、分子光譜數據、前線軌道能級、酸鹼解離常數等理化性質參數有時也用做結構參數參予定量構效關系研究
* 純粹的結構參數：在Free-Wilson方法中，使用純粹的結構參數，這種參數以某一特定結構的分子為參考標准，依照結構母環上功能基團的有無對分子結構進行編碼，進行回歸分析，為每一個功能基團計算出回歸系數，從而獲得定量構效關系模型。

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數學模型

二維定量構效關系中最常見的數學模型是線性回歸分析，Hansch方程和Free-Wilson方法均採用回歸分析。

經典的Hansch方程形式為：

lg \left(\frac{1}{C}\right)=a\pi+b\sigma+cE_s+k 其中π為分子的疏水參數，其與分子脂水分配系數PX的關系為：\pi=lg\left(\frac{P_x}{P_H}\right)，σ為哈密頓電性參數，Es為塔夫托立體參數，其中a，b，c，k均為回歸系數。

日本學者藤田稔夫對經典的Hansch方程作出一定改進，用拋物線模型描述疏水性與活性的關系：

lg \left(\frac{1}{C}\right)=a\pi+b{\pi}^2+c\sigma+dE_s+k這一模型擬合效果更好。

Hansch方程進一步，以雙直線模型描述疏水性與活性的關系：

lg \left(\frac{1}{C}\right)=algP-blg(\beta P+1)+D其中的P為分子的脂水分配系數，a,b,β為回歸系數，D代表方程的其他部分。雙直線模型的預測能力比拋物線模型進一步加強。

Free-Wilson方法的方程形式為：

lg \left(\frac{1}{C}\right)=\sum_i\sum_jG_{ij}X_{ij}+\mu其中Xij為結構參數，若結構母環中第i個位置有第j類取代基則結構參數取值為1否則為0，μ為參照分子的活性參數，Gij為回歸系數。

除了回歸分析，遺傳演算法、人工神經網路、偏最小二乘分析、模式識別、單純形方法等統計分析方法也會應用於二維定量構效關系數學模型的建立
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發展

目前，二維定量構效關系的研究集中在倆個方向：結構數據的改良和統計方法的優化。

傳統的二維定量構效關系使用的結構數據常僅能反應分子整體的性質，通過改良結構參數，使得二維結構參數能夠在一定程度上反應分子在三維空間內的伸展狀況，成為二維定量構效關系的一個發展方向。

引入新的統計方法，如遺傳演算法、人工神經網路、偏最小二乘回歸等，擴展二維定量構效關系能夠能夠模擬的數據結構的范圍，提高QSAR模型的預測能力是2D-QSAR的另一個主要發展方向。
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三維定量構效關系

三維定量構效關系是引入了葯物分子三維結構信息進行定量構效關系研究的方法，這種方法間接地反映了葯物分子與大分子相互作用過程中兩者之間的非鍵相互作用特徵，相對於二維定量構效關系有更加明確的物理意義和更豐富的信息量，因而1980年代以來，三維定量構效關系逐漸取代了二維定量構效關系的地位，成為基於機理的合理葯物設計的主要方法之一。目前應用最廣泛的三維定量構效關系方法是CoMFA 和CoMSIA即比較分子場方法和比較分子相似性方法，除了上述兩種方法，3D-QSAR還有DG 3D-QSAR、MSA、GERM等眾多方法。
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CoMFA&CoMSIA

CoMFA和CoMISA是應用最廣泛的合理葯物設計方法之一，這種方法認為，葯物分子與受體間的相互作用取決於化合物周圍分子場的差別，以定量化的分子場參數作為變數，對葯物活性進行回歸分析便可以反應葯物與生物大分子之間的相互作用模式進而有選擇地設計新葯。
分子定位在一個方格中，作為探針的粒子在盒子中遊走

比較分子場方法將具有相同結構母環的分子在空間中疊合，使其空間取向盡量一致，然後用一個探針粒子在分子周圍的空間中遊走，計算探針粒子與分子之間的相互作用，並記錄下空間不同坐標中相互作用的能量值，從而獲得分子場數據。不同的探針粒子可以探測分子周圍不同性質的分子場，甲烷分子作為探針可以探測立體場，水分子作為探針可以探測疏水場，氫離子作為探針可以探測靜電場等等，一些成熟的比較分子場程序可以提供數十種探針粒子供用戶選擇。

探針粒子探測得到的大量分子場信息作為自變數參與對分子生理活性數據的回歸分析，由於分子場信息數據量很大，屬於高維化學數據，因而在回歸分析過程中必須採取數據降維措施，最常用的方式是偏最小二乘回歸，此外主成分分析也用於數據的分析。
CoMFA結果輸出

統計分析的結果可以圖形化地輸出在分子表面，用以提示研究者如何有選擇地對先導化合物進行結構改造。右圖為一CoMFIA計算的結果輸出，圖中藍色區域若以負電性基團取代則會提高葯物的活性，紅色區域則提示正電性基團更有利於活性。除了直觀的圖形化結果，CoMFA還能獲得回歸方程，以定量描述分子場與活性的關系。

CoMSIA是對CoMFA方法的改進，他改變了探針粒子與葯物分子相互作用能量的計算公式，從而獲得更好的分子場參數。
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其他三維定量構效關系方法

除了比較分子場方法，三維定量構效關系還有距離幾何學三位定量構效關系(DG 3D-QSAR)、分子形狀分析(MSA)、虛擬受體等方法(FR)等

距離幾何學三維定量構效關系嚴格來講是一種介於二維和三維之間的QSAR方法。這種方法將葯物分子劃分為若干功能區塊定義葯物分子活性位點，計算低能構象時各個活性位點之間的距離，形成距離矩陣；同時定義受體分子的結合位點，獲得結合位點的距離矩陣，通過活性位點和結合位點的匹配為每個分子生成結構參數，對生理活性數據進行統計分析。

分子形狀分析認為葯物分子的葯效構象是決定葯物活性的關鍵，比較作用機理相同的葯物分子的形狀，以各分子間重疊體積等數據作為結構參數進行統計分析獲得構效關系模型。

虛擬受體方法是DG 3D-QSAR和CoMFA方法的延伸與發展，其基本思路是採用多種探針粒子在葯物分子周圍建立一個虛擬的受體環境，以此研究不同葯物分子之間活性與結構的相關性。其原理較之CoMFA方法更加合理，是目前定量構效關系研究的熱點之一。
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方法評價

定量構效關系研究是人類最早的合理葯物設計方法之一，具有計算量小，預測能力好等優點。在受體結構未知的情況下，定量構效關系方法是最准確和有效地進行葯物設計的方法，根據QSAR計算結果的指導葯物化學家可以更有目的性地對生理活性物質進行結構改造。在1980年代計算機技術爆炸式發展之前，QSAR是應用最廣泛也幾乎是唯一的合理葯物設計手段。

但是QSAR方法不能明確給出回歸方程的物理意義以及葯物-受體間的作用模式，物理意義模糊是對QSAR方法最主要的置疑之一。另外在定量構效關系研究中大量使用了實驗數據和統計分析方法，因而QSAR方法的預測能力很大程度上受到試驗數據精度的限制，同時時常要面對「統計方法欺詐」的置疑。
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參見

構效關系 分子對接 葯物設計
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外部鏈接

* History of QSAR
* QSAR與葯物設計
* 第十一屆定量構效關系國際研討會
* QSAR

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參考書目

* 李仁利 1998年 葯物的構效關系 北京大學葯學院講義
* 陳凱先等 2000年 計算機輔助葯物設計——原理、方法及應用 上海科學技術出版社 ISBN 7-5323-5551-9
* 徐筱傑等 2004年 計算機輔助葯物分子設計 化學工業出版社 ISBN7-5025-5520-X

取自"http://wikipedia.cnblog.org/wiki/%E5%AE%9A%E9%87%8F%E6%9E%84%E6%95%88%E5%85%B3%E7%B3%BB"

Category: 葯物化學

㈨ 表面分析的分析方法

表面分析方法有數十種，常用的有離子探針、俄歇電子能譜分析和X射線光電子能譜分析,其次還有離子中和譜、離子散射譜、低能電子衍射、電子能量損失譜、紫外線電子能譜等技術，以及場離子顯微鏡分析等。
離子探針分析
離子探針分析，又稱離子探針顯微分析。它是利用電子光學方法將某些惰性氣體或氧的離子加速並聚焦成細小的高能離子束來轟擊試樣表面，使之激發和濺射出二次離子，用質譜儀對具有不同質荷比(質量/電荷)的離子進行分離，以檢測在幾個原子深度、數微米范圍內的微區的全部元素，並可確定同位素。它的檢測靈敏度高於電子探針（見電子探針分析），對超輕元素特別靈敏，可檢測10(克的痕量元素,其相對靈敏度達 10(～10(。分析速度快，可方便地獲得元素的平面分布圖像。還可利用離子濺射效應分析表面下數微米深度內的元素分布。但離子探針定量分析方法尚不成熟。
1938年就有人進行過離子與固體相互作用方面的研究，但直到60年代才開始生產實用的離子探針分析儀。離子探針分析儀的基本部件包括真空系統、離子源、一次離子聚焦光學系統、質譜儀、探測和圖像顯示系統、樣品室等。離子探針適用於超輕元素、微量和痕量元素的分析以及同位素的鑒定。廣泛應用於金屬材料的氧化、腐蝕、擴散、析出等問題的研究，特別是材料氫脆現象的研究，以及表面鍍層和滲層等的分析。
俄歇電子能譜分析
俄歇電子能譜分析， 用電子束 （或X射線）轟擊試樣表面，使其表面原子內層能級上的電子被擊出而形成空穴，較高能級上的電子填補空穴並釋放出能量，這一能量再傳遞給另一電子，使之逸出，最後這個電子稱為俄歇電子。1925年法國的P.V.俄歇首先發現並解釋了這種二次電子，後來被人們稱為俄歇電子，但直到1967年俄歇電子能譜技術才用於研究金屬問題。通過能量分析器和檢測系統來檢測俄歇電子能量和強度，可獲得有關表面層化學成分的定性和定量信息，以及化學狀態、電子態等情況。在適當的實驗條件下，該方法對試樣無破壞作用，可分析試樣表面內幾個原子層深度、數微米區域內除氫和氦以外的所有元素，對輕元素和超輕元素很靈敏。檢測的相對靈敏度因元素而異，一般為萬分之一到千分之一。絕對靈敏度達10(單層（1個單層相當於每平方厘米約有10(個原子）。可方便而快速地進行點、線、面元素分析以及部分元素的化學狀態分析。結合離子濺射技術，可得到元素沿深度方向的分布。
俄歇電子能譜儀器的結構主要包括真空系統、激發源和電子光學系統、能量分析器和檢測記錄系統、試驗室和樣品台、離子槍等。
俄歇電子能譜分析在機械工業中主要用於金屬材料的氧化、腐蝕、摩擦、磨損和潤滑特性等的研究和合金元素及雜質元素的擴散或偏析、表面處理工藝及復合材料的粘結性等問題的研究。
X射線光電子能譜分析
X射線光電子能譜分析，以一定能量的X射線輻照氣體分子或固體表面，發射出的光電子的動能與該電子原來所在的能級有關，記錄並分析這些光電子能量可得到元素種類、化學狀態和電荷分布等方面的信息。這種非破壞性分析方法，不僅可以分析導體、半導體，還可分析絕緣體。除氫以外所有元素都能檢測。雖然檢測靈敏度不高，僅達千分之一左右，但絕對靈敏度可達2×10(單層。
這種分析技術是由瑞典的K.瑟巴教授及其合作者建立起來的。1954年便開始了研究，起初稱為化學分析用電子能譜(簡稱ESCA)，後普遍稱為X射線光電子能譜（簡稱XPS）。主要包括：真空系統、X射線源、能量分析器和檢測記錄系統、試驗室和樣品台等。這種分析方法已廣泛用於鑒定材料表面吸附元素種類，腐蝕初期和腐蝕進行狀態時的腐蝕產物、表面沉積等；研究摩擦副之間的物質轉移、粘著、磨損和潤滑特性；探討復合材料表面和界面特徵；鑒定工程塑料製品等。