可控電阻器檢測方法

A. 如何測量可控硅好壞

單向可控硅用萬用表測量好壞
用電阻x1k檔，正、反向測量A、K之間的電阻值，均接近無窮大；用電阻x10Ω檔測量G、K之間的電阻，從十幾歐姆至百歐姆，功率越大歐姆值越小。

正、反向電阻值相等或差異極小。說明可控硅的G、K並不像一般三極體的發射結，有明顯的正、反向電阻的差異。
這種測量方式是有局限性的，當A、K之間已呈故障開路狀態時，則無法測出好壞。有的G、K間電阻值極小，也難以判別兩控制極是否已經短路
如陰極A接黑表筆，陰極K接紅表比時，萬用表的指針發生偏轉，就說明這單向可控硅已經遭到損壞。

B. 雙向可控硅怎麼測量好壞

使用萬用表檢測單向晶閘管。

用電阻x1kΩ測量A和K之間的電阻，正反向電阻值均接近無窮大；用電阻x10Ω測量G和K之間的電阻，阻值范圍在十幾歐姆到一百歐姆之間，且功率越高，歐姆值越小。

G和K之間的正負電阻值相等或相差不大，說明單向晶閘管的G和K與一般三極體的發射極結不同，具有明顯的正反向電阻差異。

這種測量方法存在局限性，當A和K處於開路狀態時，無法進行質量檢測。同時，G和K之間的有些電阻值極小，難以判斷兩個控制電極是否已經短路。

如果負極A接黑色探針，負極K接紅色探針，萬用表指針會發生偏轉，說明單向晶閘管已經損壞。