⑴ 漏電流過大是什麼原因
所謂的漏電流﹐是由於電容的絕緣介質中不完全的絕緣﹐而是有一定的阻抗﹐故存在損耗現象﹐而在一部份損耗以電流的形式表現出來就是漏電流。
漏電流過大的一個原因可能因為晶元的process有問題導致的.一般的晶元用時間久了,其漏電流就會增大,常見的如手機待機時間不長,就是由於晶元的漏電流過大導致的.
此外,對於漏電流,也可以採取一些保護設計的方式,進行改善,在下不是從事設計工作,所以不是特別清楚.
big question. it can be a book.
Basically, if the I leakage is less than 1x 10 -12 , you have a clean process.Process:
STI influence the leakageGIDLDIBLSilicde
漏電主要有以下幾個因數導致
1.設計:設計錯誤,或設計規則小於生產線規則
2.工藝:表面漏電,主要是表面反型引起(缺陷只能導致局部漏電)
3.測試一般不會造成漏電,除非外圍搞錯了
一般來說設計規則和生產線規則嚴重不符的低級錯誤比較少見,除非你對這條生產線很熟悉,可以做極限試驗,生產線臟污表面反型的可能性較大.
問得太籠統了……
半導體的東西其實囊括了太多太多的東西。。。
要說這個漏電。。
是輸入漏電流還是輸出漏電流啊！但主要是晶元內部直接與管腳相連的一級管子沒有完全關閉造成的
作IDDQ的測試.
很想了解,ic線路內open是否也會造成漏電
如果產品沒有問題的話,通常是量測的問題,時間..測試次數..值的計算.....因素
測試時濕度過大也會導致漏電流
我這幾天正在做這個問題的一個反饋，我做了功耗曲線的分析，我是做中測的，感覺是封裝上出了問題，可能是沒有弄金絲封裝，原因好多，我 還不知道到底出在哪，准備去生產線山看看
個人認為,實際生產中,尤其是穩定的線上生產產生漏電的最大原因就是污染,由於生產操作的不規范造成.
同意ls 生產線潔凈度是控制金屬離子玷污最大關鍵
主要原因就是絕緣性能降低了，該絕緣地方或時候絕緣性能差了