1. 太陽能單晶矽片制絨後反射率怎麼測定
太陽能單晶矽片制絨後反射率檢測方法包括以下步驟：
1、在待測制絨矽片的不同位置上選定3~5個檢測區域進行檢測。
2、用oct系統對檢測區域進行掃描，得到檢測區域的三維圖像。
3、採用matlab軟體對得到的三維圖像進行處理。
4、將檢測區域的三維圖像沿深度方向進行平均，得到縱向的一維平均光強信號圖。
5、用制絨片上表面光強值來表徵制絨矽片的反射率，光強值越小，反射率越小，制絨效果越好。
6、通過絨面均勻性和反射率參數來評價電池片制絨質量。絨面的質量會受到多種因素的影響，如所用溶液的濃度、溶液的比例、反應溫度、反應時間等。探討各個參量對制絨效果的影響及最優制絨參數范圍大小，對晶硅太陽電池制絨工序而言至關重要。