硅的檢測方法

❶ 可控硅怎麼檢查好壞

一、單向可控硅工作原理

可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處於導通狀態。另外，可控硅一旦導通後，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通。

可控硅關斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小於最小維持電流以下。

二、單向可控硅的引腳區分

對可控硅的引腳區分，有的可從外形封裝加以判別，如外殼就為陽極，陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控硅，可用萬用表R×100或R×1K擋，測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當萬用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時，黑表筆所接的是控制極G，紅表筆所接的是陰極C，餘下的一隻管腳為陽極A。

三、單向可控硅的性能檢測

可控硅質量好壞的判別可以從四個方面進行。第一是三個PN結應完好；第二是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷，不導通；第三是當控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通；第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應當導通，把控制極電流去掉，仍處於導通狀態。
用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對前三個方面的好壞進行判斷。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個阻值均應很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近於無窮大，說明可控硅已經擊穿短路或已經開路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。
用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近於零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大於正向阻值。
萬用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

四、可控硅的使用注意事項

選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，並留出一定的餘量。

1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。

3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，並且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應塗上一薄層有機硅油或硅脂，以幫於良好的散熱。

5、按規定對主電路中的可控硅採用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。

❷ 硅的測定方法

無機硅是水中最復雜的無機物之一，以膠體硅與溶解硅（又稱活性硅）等形態存在，且各種形態的硅在不同pH值條件下可相互轉化。
在水中以離子形態或單分子態存在的硅酸化合物稱為溶解硅，在水中以多分子聚集態存在的硅酸化合物因具有膠體的某些性質而被稱為膠體硅。
全硅是指水中以各種形式存在的硅酸化合物的總和，即膠體硅與溶解硅之和。
硅酸化合物在水中的形態與其自身含量、pH值、溫度以及其他離子的含量有關。硅酸含量過高時，其將以膠態形式析出；水體pH值越高，硅酸的溶解度越高。高pH值條件下，如水中Ca2+或Mg2+含量很低（軟水），則硅酸呈真溶液狀態即以HSiO3-形式存在；如水中Ca2+或Mg2+含量較高（硬水），則容易形成膠溶狀態的鈣鎂硅酸鹽。

❸ 白剛玉砂的硅含量如何檢測

白剛玉產品顏色為白色，較棕剛玉硬而脆，切削力較強，化學穩定性好，具有很好的絕緣性,適用於一些高級的拋光、耐火材料以及各種高端產品，工藝或者五金等產品表面美化處理，噴砂後表面潔白無任何雜質，免去清洗煩惱。

白剛玉砂是碳化硅的一種，它主要以1200#和1500#為主，在磨料行業中的使用非常的廣泛，白剛玉中硅的含量對於碳化硅的硬度起著決定性的作用。

白剛玉砂的硅含量檢測方法：

白剛玉中硅的含量決定碳化硅的硬度，白剛玉的粒徑大小對線切割影響很大，但最重要的是白剛玉的顆粒形狀。因為線切割時白剛玉為游離狀態切割，顆粒的形狀變化對切割效率及切割質量要重要影響。

檢測辦法：硅的含量需要原子吸收檢測(檢測效率高，數值較精確。碳化硅粒徑需要電阻法顆粒分析儀效率高。碳化硅粒型檢測需要顆粒分析儀，可以分析顆粒形狀系數、圓度、較准確)

❹ 硅含量的測試

我在做化學基礎分析遇見的難點，現在就把我自己的體會在這里和大家說下。我做的主要是鐵合金。其中我發現硅鋁合金中的硅很難快速測定。用有的方法在實際生產中測定有很大的出入。不同的單位。得到的數值可能相差2%。真的很誇張。這也說明了。該合金的硅的測定比較有難度的。由於現在的國標嚴重的落後於生產。我了解測硅目前2個比較可行的手段進行測定，一個是2次發煙。一個是硅氟酸鉀。儀器方面不是很清楚。希望大家指出。
下面我就2個方法做一個簡單的介紹要點：
高氯酸發煙：可能認為該方法很簡單。的確，原理很簡單。對不同的式樣它的難易有很大的出別。特別是鐵合金。是比較難的問題。問題的原因是鐵合金相比較其他式樣，對硅元素它需要鹼融，難就難在這里。這需要技術人員要有很強的操作能力。國標上說的很簡單，在實際操作中大家要注意自己的操作，一定要保證式樣的溶解完全，只有做到這點，你離成功才近。其他的步驟不難，只是你要注意，如果你是用回收殘渣進行處理，高氯酸一定要洗盡。要不會爆炸的哦。原因我想大家都知道，所以大家一定不要急。該做到還是要做到位。萬一飛了那再來3天可就夠你郁悶的。當然鍋的衡重也是要大家注意的。對該方法，我說的不多，就是要多注意，小心。不要急。溶解式樣一定要多補加鹽酸，要是按國標鹽酸數量，那就是一團黑忽忽的。夠你郁悶的了。重在自己對方法的理解。知道什麼是影響測定的關鍵因素，什麼是可以忽略的因素。
下面我重點講下硅氟酸鉀法。該方法到現在沒有立為國標，可是在實際中大家都會用到它。因為速度和准確度還是有相當的保證的。只是現在對過濾的那一步有的單位條件不好，對此方法進行了放棄或不採用。其實該方法在鐵合金快速測定硅有很強的生產意義。我自己經過一段摸索和對比，我把自己的心得告訴大家，希望大家能把自己的經驗也說出來，共同探討。
由於稱量不是很大。一定要准。
式樣的粒度 一定要有保障。越小對實驗的影響越小。
式樣一般採取硝酸鉀和氫氧化鉀溶解。我採用的比例是1：2
式樣最好在低溫多時間培烘。一般我採用40分鍾以上。
式樣在煤氣上的加熱是該方法的一個難點。不同的時間，火的大小對該方法的最終數據有很直接的關系。我的建議是不要太高的溫度多時間。一般我是鍋底紅了10MIN。時間太長。浸取的難度會很大。特別有的時候會有不可以看見的殘渣。建議在加酸後水浴上在加熱5分鍾。這一步驟時間的控制要一致。
後面的步驟注意鉀鹽不要過多。要不中和的時候會返的很嚴重。還有沉澱體積的控制盡量一致。也就是說你浸取的時候要控制相當。不知道有的人現在還加沒有加紙漿沉澱那一步。個人強烈建議完全沒有必要，我在第一次做的時候就發現加紙漿對數據有很大影響，我一個一個排除原因，最後發現是它的問題。後來我忽略它。對不同的標樣進行測定。完全達到要求。效果很好。
還有最後一點注意。可能會有的時候出現破壞指示劑現象，記得一定要補加。中和和測定的終點要看顏色一致。呵呵，哪怕你就是很小心的做到上面的這些。你得到的數據有的時候還是不好。為什麼呢。我個人認為AL的干擾程度不可以完全控制。我們只可以做到減小它的影響。
這個方法步驟是一個快速測定的步驟。如果要很准確的。那還是發煙吧。不過。如果你熟悉了這個，誤差控制還是相當的。沒有那麼的離譜的。
以上就是我的一點體會，我就做硅。其他式樣還好，就它調皮不好做。請大家來給我指出我的不足。錯字多，請包涵。這是我自己寫的第一個體會。不知道效果怎麼樣，歡迎大家討論。我是做化學分析的。手動。郁悶啊。

❺ 硅元素用什麼方法檢測

硅元素用什麼方法檢測
硅 是比較常見而且容易檢出的元素,最常用的是化學分析法,給你的結果是SiO2你算一下就知道硅有多少了 .如果你是做化學分析的,能檢測的每個元素都有對應的方法和規程的,你自己查一下.

❻ 怎樣檢測硅鐵的硅含量

檢測硅鐵的硅含量最簡單的方法是：重量法測定硅鐵中硅含量。
在重量法測定硅含量中，又具體分為三種方法，即：
1、 高氯酸脫水重量法測定硅量；
2、 鹽酸脫水重量法測定硅量；
3、 揮硅減量重量法。
硅鐵的硅含量的測定方法有多種。用以測定硅鐵合金中硅測定的化學分析方法主要有重量法和氟硅酸鉀容量法。現代儀器分析中，用以准確測定硅鐵中硅的含量的儀器有X－熒光光度儀和能譜儀。電感耦合等離子光度分析儀也可用以間接測得硅的含量。

❼ 怎樣檢測有機硅

1. 界面紅外反射光譜分析，確認其是否有相應特徵峰，如波數在1000~1100cm-1之間的Si-O-Si鍵吸收峰；

2. 固體核磁譜，樣品碎屑做固體核磁掃描，看有沒有硅烷基峰；

3. 元素分析，查硅含量；

4. 最簡單的定性試驗：燃燒法。有機硅燃燒後產生白色余燼和白煙，有別於其它有機高分子。

❽ 如何測量可控硅的好壞

1. 單向可控硅的檢測：

萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。

2. 雙向可控硅的檢測：

用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。

確定A1、G極後，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。

(8)硅的檢測方法擴展閱讀：

可控硅的主要參數有：

1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。

5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

參考資料：網路-可控硅

❾ 怎樣檢測可控硅模塊

1、單向可控硅的檢測。
萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。
2、雙向可控硅的檢測。
用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極後，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接第一陽極A1，此時萬用表指針不應發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨後斷開A2、G間短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨後斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V干電池，以提高觸發電壓。
晶閘管管腳的判別可用下述方法：
先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置於R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。

❿ 如何檢測可控硅的好壞

1.
單向可控硅的檢測。
萬用表選電阻r*1ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極g，紅表筆的引腳為陰極k，另一空腳為陽極a。此時將黑表筆接已判斷了的陽極a，紅表筆仍接陰極k。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極a和控制極g，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極a接黑表筆，陰極k接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。
2.
雙向可控硅的檢測。
用萬用表電阻r*1ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極a1和控制極g，另一空腳即為第二陽極a2。確定a1、g極後，再仔細測量a1、g極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極a1，紅表筆所接引腳為控制極g。將黑表筆接已確定的第二陽極a2，紅表筆接第一陽極a1，此時萬用表指針不應發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將a2、g極瞬間短接，給g極加上正向觸發電壓，a2、a1間阻值約10歐姆左右。隨後斷開a2、g間短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極a2，黑表筆接第一陽極a1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將a2、g極間再次瞬間短接，給g極加上負的觸發電壓，a1、a2間的阻值也是10歐姆左右。隨後斷開a2、g極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。
檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5v干電池，以提高觸發電壓。
晶閘管(可控硅)的管腳判別
晶閘管管腳的判別可用下述方法：
先用萬用表r*1k擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置於r*10k擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。