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研究晶體的三個方法

發布時間:2025-04-22 22:58:14

㈠ 在電子顯微鏡還沒有被發明的年代,地質學家都是怎麼研究晶體結構的

地質學家對晶體的研究早就開始了,而不是近期才進行的,那麼以前的條件那麼艱苦,地質學家們是怎麼研究晶體的呢?大家知不知道晶體是什麼東西呢?你們對晶體有基本的認識和了解嗎?你知道在電子顯微鏡還沒被發現的年代,地質學家們都是怎樣研究晶體結構的嗎?讓我們一起來探索一下這個問題吧!

最初的晶體研究確實是通過肉眼和光學顯微鏡來觀察晶型比較好的晶體。早期的晶體學家從17世紀開始通過比較好的晶體來研究晶體的對稱性。 1839年William Miller提出了Miller Indices,來形容晶體的面。到19世紀末,晶體學家已經通過觀察實際的晶體和理論研究總結出了所有可能的晶體對稱性。X-ray的發現大大推動了晶體結構的了解!父子一同拿下了1915年諾貝爾物理學獎。

一.用放大鏡

有網友說為什麼要這么麻煩呢?直接用電子顯微鏡不就好了,在當時那個年代是沒有電子顯微鏡的,物質還很匱乏,電子顯微鏡是近代才出現的觀測工具,現在的電子顯微鏡越來越高級,能觀察到的東西也越來越多。

㈡ 獲得晶體衍射花樣的基本方法有哪些

獲得晶體衍射花樣的基本方法有哪些?

答:
獲取衍射花樣的三種基本方法是勞埃法、旋轉晶體法和粉末法。
勞埃法主要用於分析晶體的對稱性和進行晶體定向;
旋轉晶體法主要用於研究晶體結構;
粉末法主要用於物相分析。

㈢ 9種常見的原料葯晶型檢測方法

葯物分子通常以鹽類、多晶、共晶、無定形、水合物和溶劑合物等形式存在,不同晶型在晶體結構、穩定性、可生產性和生物利用度等方面存在顯著差異,直接影響葯物的療效和可開發性。

評估並選擇最佳葯物晶型進行研發至關重要,以避免在臨床後期發生晶型變化導致的上市延誤和經濟損失,甚至因晶型變化導致葯物被迫撤市。葯物晶型研究和葯物固態研發在制葯業中具有舉足輕重的地位。

1、X-射線衍射法(X-ray diffraction)

該方法是研究葯物晶型的主要手段,用於鑒別晶態和非晶態,確定晶體品種,區分混合物和化合物,測定葯物晶型結構和晶胞參數,以及比較不同晶型。粉末衍射和單晶衍射是其兩種形式,其中粉末衍射最常用。

2、紅外吸收光譜法

通過葯物分子中化學鍵的差異,紅外光譜可用於研究葯物多晶型。常用樣品制備方法有KBr壓片法、石蠟糊法、漫反射法和衰減全反射法。考慮到可能的晶型改變,石蠟油糊法和DRIFT是常用選擇。

3、熔點法和顯微鏡法

葯物晶型的不同可能導致熔點差異,熱載台顯微鏡可用於觀察晶體的相變、熔化、分解和重結晶過程。熔點差異是初步檢測多晶型存在的方法之一,但需結合其他方法進行確認。

4、熱分析法

包括差示掃描量熱法、差熱分析法和熱重分析法,用於分析不同晶型在升溫或冷卻過程中的吸、放熱差異。

5、偏光顯微鏡法

主要用於透明固體葯物的觀測,通過調整偏光鏡的角度,可觀察晶體在不同角度下的隱失和閃亮現象,從而決定晶體所屬的晶型。

6、核磁共振法

不同晶型結構中分子原子所處化學環境的細微差異導致其在核磁共振譜圖上出現不同的響應,通過比較不同晶型的譜圖,可判斷葯物是否存在多晶現象。

7、掃描隧道顯微鏡法

能夠直接觀察晶體表面的原子排列狀態和物理化學特性,用於研究晶體的晶格、原子排列、晶面缺陷等。

8、溶解度方法

不同晶型的自由能不同,導致溶解度不同。通過測定各晶型在不同溫度下的溶解度,可區分不同晶型並確定其熱力學轉變溫度。

9、計算機輔助預測

在已知固體葯物結構的前提下,利用商業程序Polymorph Predictor預測不同潔凈條件下的最可能生成的晶型。

10、其他方法

通過密度、折光率等物理性質的差異,以及使用磁性異向儀、膨脹計等儀器,或觀察葯物顏色,進行不同晶型的確定。隨著技術進步,新的方法可用於葯物晶型研究。

不同晶型確定方法的綜合運用,可全面認識葯物晶型。紅外與熱顯微鏡法,以及差示掃描量熱法與熱台顯微鏡法的聯用,體現了這一思路。

㈣ 簡單論述測定材料晶體結構及晶體取向的方法主要有哪些

( 1) 鎳基單晶高溫合金晶體取向具有顯著的各向異性。不同取向單晶的高溫拉伸性能、抗蠕變、低周疲勞等性能均有明顯不同, 001 > 取向單晶具有較高的綜合力學性能。

( 2) 晶體取向與鎳基單晶高溫合金凝固組織密切相關。不同取向的枝晶生長規律不同,造成各異的枝晶組織形態和枝晶間距,溶質元素在不同取向的偏析程度不同。

( 3) 螺旋選晶器引晶段的主要作用是優化晶粒取向,以便獲得取向良好的 001 > 取向的晶粒。螺旋段的主要作用是確保一個晶粒進入鑄件,其幾何參數對最終單晶取向沒有明顯影響。螺旋選晶器引晶段頂端最後保留的晶粒取向將直接決定最終單晶鑄件的晶體取向。

(4) 籽晶法制備單晶過程中,在枝晶界面條件下晶體的取向和生長狀態,主要由籽晶的取向決定。在胞晶界面狀態下,胞晶的生長方向仍由熱流方向決定。籽晶法能獲得取向度較高的單晶。

(5) 較高的溫度梯度和合適的拉晶速率,保持平整的凝固界面,有助於獲得取向偏離較小的單晶。

(4)研究晶體的三個方法擴展閱讀

對晶體取向的研究,應注意以下幾個方面:

(1) 進一步研究晶體取向與凝固組織的關系,弄清楚晶體界面演化過程中晶體取向的轉變特點。

(2) 研究工藝參數對單晶高溫合金晶體生長取向的影響。進一步探索螺旋選晶器結構參數優化對晶體取向控制的作用規律。

在較大范圍內改變凝固界面前沿的溫度梯度,系統研究溫度梯度對晶體取向控制的作用。探索變截面造成的溫度場和溶質場變化等因素對晶體取向的作用,建立相關模型,採用計算機模擬與實驗對比實現精確控製取向的目的。

(3) 研究晶體取向在晶粒生長中的作用。單晶制備中不可避免產生小角度晶界、雜晶等,研究晶體取向在螺旋選晶和晶粒淘汰中的作用機制,對控制凝固缺陷形成具有重要意義。

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