pvd制備導電薄膜常用方法

① 請問：採用PVD方法制備藍色薄膜需用什麼靶材

一般PVD制備藍色薄膜，最常用靶材自然是鈦靶和鋁靶。
以本人多年的PVD經驗，做藍色薄膜量產不穩定，邊緣效應較明顯。呵呵，希望對你有所幫助。

② 什麼是PVD拋光鍍膜技術

PVD拋光鍍膜技術（物理氣相沉積）是相對於CVD（化學氣相沉積）來說的。它是一種蒸發真空鍍膜技術，由蒸發、運輸、反應、沉積四個物理反應完成材料鍍膜的過程，可以說是一種替代電鍍的過程。PVD拋光鍍膜技術（物理氣相沉積）承襲了化學氣相沉積提高表面性能的優點,並克服了化學氣相沉積高溫易使材料變形等缺點。
要知道，在一般化學氣相沉積（CVD）的過程中，基體表面發生化學反應所需能量來源於外界熱源對於基體表面的加熱作用，因此CVD過程溫度很高，容易造成材料本身的變形。而物理氣相沉積（PVD）不同於化學氣相沉積（CVD），在物理氣相沉積（PVD）過程中，基體表面發生化學反應所需能量來源於等離子體粒子或電子束能量等，並且其起到了化學反應中催化劑的作用，可使外界熱源對於基體表面的加熱作用大大減輕，因此PVD過程溫度很低，故產生畸變的風險也大大減少小，從而大大保證了材料表面的完整性，提高了其使用性能，使其PVD塗層的硬度更高，也更耐磨，不易脫落。
PVD拋光鍍膜技術（即物理氣相沉澱），克服了化學氣相沉積高溫易使材料變形等缺點，承襲了化學所相沉積提高表面性能的優點，在一般化學氣相沉積（CVD）的過程中，基體表面發生化學反應所需能量來源於外界熱源對於基體表面的加熱作用，因此CVD過程溫度很高，容易造成材料本身的變形。
而物理所相沉積（PVD)不同於化學氣相沉積（CVD),在物理氣相沉積（PVD)過程中，基體表面發生化學反應所需能量來源於等離子體粒子或電子束能量等，並且起到了化學反應中催化劑的作用，可使外界熱源對於基體表面的加熱作用大大減輕，因此PVD過程溫度很低，所以產生變形的風險大大減小了，從而更大程度的保證了材料表面的完整性，提高了其使用性能，使PVD塗層的硬度更高，也更耐磨，不易脫落。
匯成真空科技有限公司 專業真空設備製造商。

③ 請問pvd是什麼工藝

1、PVD(Physical Vapor Deposition)是物理氣相沉積：指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以使某些有特殊性能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴塗在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能。 PVD基本方法：真空蒸發、濺射、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）。

2、PVD(Programmable Voltage Detector)，即可編程電壓監測器。應用於STM32ARM晶元中，作用是監視供電電壓，在供電電壓下降到給定的閥值以下時，產生一個中斷，通知軟體做緊急處理。當供電電壓又恢復到給定的閥值以上時，也會產生一個中斷，通知軟體供電恢復。

(3)pvd制備導電薄膜常用方法擴展閱讀：

PVD技術出現於，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學穩定性等優點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國製造業的高度重視，人們在開發高性能、高可靠性塗層設備的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的塗層應用研究。

與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適於對硬質合金精密復雜刀具的塗層；PVD工藝對環境無不利影響，符合現代綠色製造的發展方向。當前PVD塗層技術已普遍應用於硬質合金立銑刀、鑽頭、階梯鑽、油孔鑽、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、車刀片、異形刀具、焊接刀具等的塗層處理。

④ PVD可以做幾種顏色，分別怎麼做

PVD
可以做出成千上萬種顏色，甚至可以說自然界有的顏色，差不多都可以用PVD的方法做出來。比較常用的顏色如：金黃色TiN;黑色：
TiC；
銀色：CrN;等等，這可真是個大的問題呢。

⑤ 兩種pvd技術分別是什麼各自的特點是什麼

VD簡介
PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理氣相沉積）的縮寫，是指在真空條件下，採用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發並使被蒸發物質與氣體都發生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。
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PVD技術的發展
PVD技術出現於二十世紀七十年代末，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學穩定性等優點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國製造業的高度重視，人們在開發高性能、高可靠性塗層設備的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的塗層應用研究。與 CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適於對硬質合金精密復雜刀具的塗層； PVD工藝對環境無不利影響，符合現代綠色製造的發展方向。目前PVD塗層技術已普遍應用於硬質合金立銑刀、鑽頭、階梯鑽、油孔鑽、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、異形刀具、焊接刀具等的塗層處理。
PVD技術不僅提高了薄膜與刀具基體材料的結合強度，塗層成分也由第一代的TiN發展為TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta－C等多元復合塗層。
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塗層的PVD技術
增強型磁控陰極弧：陰極弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優異。
過濾陰極弧：過濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過濾系統，可將離子源產生的等離子體中的宏觀粒子、離子團過濾干凈，經過磁過濾後沉積粒子的離化率為100%，並且可以過濾掉大顆粒， 因此制備的薄膜非常緻密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。
磁控濺射：在真空環境下，通過電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出並沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。
離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過調整加在等離子體上的電壓來控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧塗層的離子束源採用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術的主要優點在於可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個埃，並可將工藝過程中的顆料污染所帶來的缺陷降至最小。
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補充
物理氣向沉積技術 * PVD 介紹 物理氣相沉積具有金屬汽化的特點，
與不同的氣體發應形成一種薄膜塗層。今天所使用的大多數 PVD 方法是電弧和濺射沉積塗層。這兩種過程需要在高度真空條件下進行。
Ionbond 陰極電弧 PVD 塗層技術在 20 世紀 70 年代後期由前蘇聯發明，如今，絕大多數的刀模具塗層使用電弧沉積技術。
工藝溫度
典型的 PVD 塗層加工溫度在 250 ℃— 450 ℃之間，但在有些情況下依據應用領域和塗層的質量， PVD 塗層溫度可低於 70 ℃或高於 600 ℃進行塗層。
塗層適用的典型零件
PVD 適合對絕大多數刀具模具和部件進行沉積塗層，應用領域包括刀具和成型模具，耐磨部件，醫療裝置和裝飾產品。
材料包括鋼質，硬質合金和經電鍍的塑料。
典型塗層類型
塗層類型有 TiN, ALTIN,TiALN,CrN,CrCN,TiCN 和 ZrN, 復合塗層包括 TiALYN 或 W — C ： H/DLC
塗層厚度一般 2~5um ，但在有些情況下，塗層薄至 0.5um , 厚至 15um裝載容量。
塗層種類和厚度決定工藝時間，一般工藝時間為 3~6 小時。
加工過程優點
適合多種材質，塗層多樣化
減少工藝時間，提高生產率
較低的塗層溫度，零件尺寸變形小
對工藝環境無污染

⑥ PVD真空鍍膜原理是什麼

離子鍍膜(PVD鍍膜)技術，其原理是在真空條件下，採用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發並使被蒸發物質電離，在電場的作用下，使被蒸發物質或其反應產物沉積在工件上。

採用PVD鍍膜技術鍍出的膜層，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數)、很好的耐腐蝕性和化學穩定性等特點，膜層的壽命更長;同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。

PVD鍍膜技術是一種能夠真正獲得微米級鍍層且無污染的環保型表面處理方法，它能夠制備各種單一金屬膜(如鋁、鈦、鋯、鉻等)、氮化物膜(TiN[鈦金]、ZrN〔鋯金〕、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN)，以及氧化物膜(如TiO等)。

PVD鍍膜膜層的厚度為微米級，厚度較薄，一般為0.1μm～5μm，其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.1μm~1μm，因此可以在幾乎不影響工件原來尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學性能，並能夠維持工件尺寸基本不變，鍍後不需再加工。

ABS、PC、ABS+PC塑料底材UV真空鍍膜表面出現油點、油窩問題的解決方法：

UV真空鍍膜為什麼要除油？

1.塑料注塑成型使用脫模劑等導致塑料表面沾有油污，是電鍍不良缺陷主要的原因。在塑料表面電鍍罩UV光油的表面處理工藝中，塑料注塑成型工藝中脫模劑殘留在塑料表面導致電鍍不良是較為常見的.

2.脫模劑能夠對塑料模具成型的塑料提供快捷有效的脫模作用，而殘留在塑料製品表面的脫模劑油污，會在材質表面形成分布不均勻的油花或者油點。

靜川化工UV真空鍍膜處理劑的應用：

白電油浸泡除油方法，安全性能成為較大的隱患，除油效果不穩定，施工工藝繁瑣，造成影響電鍍效果的因素增多，沒有足夠的市場經驗和實驗基礎，且無法達到環保標准需求。但是靜川化工UV真空鍍膜處理劑則只需噴塗的電鍍除油劑，操作工藝簡單，能夠配合線體進行施工，遮蓋油污能力強，無鹵通過RoHS檢測，已通過大量的市場應用證明，除油效果穩定，效率高，無鹵環保，提升良率幅度大。

⑦ 用PVD方法制備薄膜過程中影響薄膜生長和性質的因素有哪些

「物理氣相沉積」,是指在真空條件下,用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術。
2.
pvd鍍膜和pvd鍍膜機
—
pvd(物理氣相沉積)鍍膜技術主要分為三類,
(有離子鍍、磁控濺射鍍、蒸發鍍)

⑧ PVD和CVD分別是什麼

PVD(Physical Vapor Deposition)---物理氣相沉積：指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。

CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

PVD技術出現於，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學穩定性等優點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國製造業的高度重視，人們在開發高性能、高可靠性塗層設備的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的塗層應用研究。

與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適於對硬質合金精密復雜刀具的塗層；PVD工藝對環境無不利影響，符合現代綠色製造的發展方向。

當前PVD塗層技術已普遍應用於硬質合金立銑刀、鑽頭、階梯鑽、油孔鑽、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、車刀片、異形刀具、焊接刀具等的塗層處理。

(8)pvd制備導電薄膜常用方法擴展閱讀

CVD例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。

其技術特徵在於：

⑴高熔點物質能夠在低溫下合成；

⑵析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；

⑶不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。

⑨ 請問PVD的工藝是 什麼

PVD,指利用物理過程實現物質轉移,將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以是某些有特殊性能(強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等)的微粒噴塗在性能較低的母體上,使得母體具有更好的性能!
PVD基本方法:真空蒸發、濺射...
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⑩ 氣相沉積分為那幾類方法CVD法包括那幾個過程PVD法有哪些方法,它們各自的原理是咋樣的

這個問題越來越難了，哈哈，還是 我回答，不知道你到底要做什麼產品，問看真有回答你的，你這樣問，說了這個行業廣，沒有辦法回答，手打沒有辦法，可以復制點給你。CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法制備。經過CVD處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。 其技術特徵在於：（1）高熔點物質能夠在低溫下合成；（2）析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；（3）不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。 例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低溫度發展。 CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。 CVD的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。目前，正在開發批量生產的新裝置。 CVD是在含有原料氣體、通過反應產生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的，因而，當被覆塗層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層，該層的存在，對於塗層的緻密度有很大影響。圖2所示是這種擴散層的示意圖。這樣，由許多化學分子形成的擴散層雖然存在，但其析出過程是復雜的。粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。 作為新的CVD技術，有以下幾種： （1）採用流動層的CVD； （2）流體床； （3）熱解射流； （4）等離子體CVD； （5）真空CVD，等。 應用流動層的CVD如圖3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），應用等離子體的CVD同樣也有可能在低溫下析出，而且這種可能性正在進一步擴大