『壹』 LLC諧振變換器 開關頻率 諧振頻率
諧振頻率有兩個。
Fr1=1/2*pi(根號下Lr*Cr)，這個是原邊諧振電感和諧振電容的固定諧振頻率。
Fr2=1/2*pi(根號下(Lr+Lm)*Cr)，這個是原邊諧振電感，原邊勵磁電感和諧振電容組成的諧振頻率。
以上兩個諧振頻率是電路中固定的，LLC電路通過調節開關頻率f的大小來控制輸出電壓，開關頻率就是開關管的工作頻率。
當f>Fr1時，輸出處於降壓模式；
當Fr2
評論
0
0
載入更多
『貳』 半橋LLC式開關電源的工作原理是怎樣的
LLC電路，指的是一個電感L，一個電容C，一個變壓器L，就是諧振變換器！是通過半橋開關頻率的變化來調整輸出電壓的！電感L和電容C，還有變壓器是串聯的，當頻率變化時，傳送到變壓器的能量就會發生變化，因為電感和電容的阻抗分別為：wL和1/（wC），二者都與頻率有關！根據分壓原理，傳送到變壓器的能量就會隨頻率的變化而變化。自己看看電路圖，就會明白很多！
一句話：用半橋開關的開關頻率來控制輸送到變壓器副邊的能量。
『叄』 LLC變壓器怎麼算
公式很復雜，要計算最大最小工作頻率，諧振電容。核心是計算匝比，（VIN/2）/Vout。其它的公式復雜，可以查看半導體公司給出的參考公式，還有設計工具。希望對你有幫助~
『肆』 對稱半橋llc可以用6599來做嗎
llc不對稱半橋是不是指正負電壓不一樣
LLC 諧振變換器和不對稱半橋變換器兩種不同類型的軟開關拓撲。分析了它們的工作原理,分別對它們的控制方法,副邊整流管的電壓應力和副邊的開通等進行了比較,
『伍』 薄膜電容的紋波電流是怎樣的
薄膜電容器是以金屬箔當電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊後，卷繞成圓筒狀的構造之電容器
根據薄膜的種類可以分為聚乙酯電容、聚丙烯電容、聚苯乙烯電容、和聚碳酸電容
近期有位客戶問半橋LLC輸出，計算紋波電流有12A，為了降低後端的電解電容壓力，打算副邊整流管輸出後先接4~5個薄膜電容，利用薄膜電容的低ESR特性濾除大部分的紋波，然後再後端接一個容值小一點的電解
但是不知道如何選擇這個薄膜電容，在這里該用多大容值比較合適？對於電容來說，除了紋波大小外，還有紋波電流，紋波小，但紋波電流不一定能過，要綜合考慮
可以在輸出端的電解電容前後端各加裝0.22——1uf的CBB電容試試，達到要求了就好了，這個是經驗之談，多大的薄膜電容可以消掉紋波電流還是要根據實際的情況
『陸』 請教LLC初次級電流有效值公式
測正弦信號時，示波器的操作如下：
1）開啟示波器電源開關預熱並將各開關旋鈕調到合適的位置，
2）選擇開關放在「AC」位置、調節輝度、聚焦、垂直水平位置；
3）將輸入信號通過探頭送到輸入端，調整波形到合適位置；
4）讀數：電壓峰-峰值，如為2Um：
2Um= V/div×格數 ×探頭衰減數
例如波形峰 峰距離為 2.5格，V/div（每格電壓值）為：0.05V，探頭衰減數為1/10，則：2Um= 0.05 × 2.5 × 10 = 1.25V
5） 計算交流電壓的幅值 Um=1.25/2=0.625V
交流電壓的有效值 U =0.707Um=0.707×0.625=0.44V
『柒』 llc匝比意義
LLC匝比是一種通過控制開關頻率(頻率調節)來實現輸出電壓恆定的諧振電路。它的優點是實現原邊兩個主MOS開關的零電壓開通(ZVS)和副邊整流二極體的零電流關斷(ZCS)。
『捌』 LLC中為什麼我們常在二區設計開關頻率一區和三區為什麼不可以
LLC的原理是利用感性負載隨開關頻率的增大而感抗增大，來進行調節輸出電壓的，也就是PFM調制。並且MOS管開通損耗ZVS比ZCS小，一區是 容性負載區，自然不可取。
那麼三區，開關頻率大於諧振頻率，這個仍是感性負載區，按道理MOS實現ZVS沒有問題，確實如此。
但是我們不能忽略副邊的輸出 二極體關斷。也就是原邊MOS管關斷時，諧振電流並沒有減小到和勵磁電流相等，實現副邊整流二極體軟關斷。這也是我們通常也不選擇三區的原因。
『玖』 LLC變壓器磁芯怎麼計算
發電廠升壓主變通常使用Yo/△-11接線，目的：1，獲取較大的升壓比。2，高壓側引出中性點組成大電流接地系統。3，低壓側△是為了消除發電機輸出的三次諧波。
變電所的主變壓器沒有什麼講究。通常使用Y/△只是考慮降壓比。
『拾』 llc高壓輸出為什麼計算諧振電容那麼小
美的電磁爐爆損IGBT管與相關電路故障及維修-------李少怡
目前，在小家電維修界無論是專業廠家售後維修、或家電維修愛好者，凡從事電磁爐維修行業大家知道;電磁爐維修是最怕爆損IGBT 管故障。時下，每當客戶送修電磁爐被確診為爆損、屢損IGBT 管故障時，人們時常總感到驚訝！有時甚至還感到束手無策的「棘手\&uot;活，所以很**修部就以換板，或其他理由就婉言謝絕拒修了！其實這樣處置是另有原因：由於部分維修工，對電磁爐各電路缺乏基礎知識的了解及研究，按步就搬進行維修，結果在維修過程中若出現屢損高額昂貴的IGBT 管。那麼，不但掙不到報酬，反而還要賠老本，所以對維修屢損、爆損IGBT 管的故障就望而卻步。
其實，筆者認為，維修該類故障並不難！維修前，首先應分清：是人為因素造成，還是元器件受損，或元器件存在質量問題。檢修時，可藉助萬用表的檢測宿小故障潛在范圍，「對症下葯」，維修電磁爐才能真正做到得心應手。
一、人為因素造成。
1. 鍋具的選用。
電磁爐的鍋具選用，應該嚴格按照廠家隨機原配的鍋具進行使用。廠家在設計電磁爐加熱功率電路時，首先根據鍋質的「磁阻」大小而定的，不同的鍋具「磁阻」會決定電磁爐檢鍋脈沖個數也不同。如美的電磁爐鍋具不銹鋼（）「磁阻」，比不銹鐵（）「磁阻」要大，在同等 W 電磁爐上，若將不銹鐵（）鍋具放上進行加熱是無法達到額定 W 功率；反之，將不銹鋼（）鍋具放上進行加熱，就輕而易舉達到 W 甚至更高。所以說鍋具選用不當，會導致電磁爐出現爆損IGBT 管原因之一。
2：LC振盪電路。
LC 振盪電路實際上是把電能轉換成磁能，由IGBT管、加圈盤L 及諧振電容C5 組成高頻LC 振盪迴路，並通過IGBT 管高頻開關導通、截止的作用，來實現控制電磁爐的加熱功率。
當LC 振盪電路受損時，會致使電磁爐出現爆損IGBT 管、不加熱及不不加熱等故障。其維修步驟如下：
一台美的 年標准通板MC-SH 型電磁爐，取下加圈盤，將該電磁爐上電待機，用萬用表直流電壓（50 ）檔紅表筆（+）接在IGBT 管集電極c 上，黑表筆（-）接在整流橋負極上，將電磁爐上電,此時萬用表指針快速從0 開始上升至+45 後，又回降至+0.6 電壓，為正常。
( 1）諧振電容容量與電壓峰值①當諧振電容C5 為（0.3 μF/ ）時，測IGBT管集電極c 峰值對地為+45 至+0.6 電壓，正常。
② 當諧振電容C5 為0.27 μF/ 時，測IGBT 管集電極c 峰值對地為+42 至+0.6 電壓，正常。
若測IGBT 管集電極c 峰值對地0 電壓時，為諧振電容C5 失效或開路損壞及同步電壓比較電路中比較器U2D（LM）損壞，使13腳輸出高電平（正常為+0.1 ）。這時，若接上加圈盤上電，會致使電磁爐上電時出現爆損IGBT 管故障。
(2）當測IGBT 管集電極c 峰值對地電壓始終持續在+ 或+45 時，為高壓供電電路中濾波電容C4（5 μF/ ）失效或開路。這時，若接上加圈盤上電，會致使電磁爐上電加熱時出現爆損IGBT 管、不加熱、不不加熱、不停地檢鍋及斷續加熱等故障。
（3）當測IGBT 管集電極c 峰值對地為+25 至+0.2 電壓時（正常為+45 至+0.6 ），為諧振電容C5 失效或開路。這時，若接上加圈盤上電，會致使電磁爐上電加熱時出現爆損IGBT 管、不加熱及不不加熱等故障。
（4）將電磁爐上電，當測IGBT 管集電極c 對地為+0.6 電壓，正常，裝上加圈盤測IGBT 管集電極c 對地為+ 電壓，正常。這時，若上電開機，放鍋加熱，會致使電磁爐出現爆損IGBT 管故障，為加圈盤損壞所致。
（5）將電磁爐上電，當測IGBT 管集電極c 對地為+0.6 電壓，正常，裝上加圈盤測IGBT 管集電極c 對地為+ 電壓，正常。這時，若上電開機，放鍋加熱，會致使電磁爐出現爆損IGBT 管故障，為IGBT 管控制極c 對地分壓貼片電阻R38 開路損壞所致。
（6）將電磁爐上電，當測IGBT 管集電極c 對地為+0.6 電壓，正常，裝上加圈盤測IGBT 管集電極c 對地為+ 電壓，正常。這時，若上電開機，放鍋加熱，會致使電磁爐出現爆損IGBT 管故障，為IGBT管控制極G 限幅穩壓二極體Z1 漏電所致。
同步電壓比較電路。
電磁爐加圈L 與高頻諧振電容C3 是通過IGBT 管高頻開關快速導通、截止，形成LC 振盪電路。
LC **振盪的半周期時間出現峰值電壓，亦是IGBT管截止時間，這時開關脈沖沒有到達。這個時間關系不能錯位，如峰值脈沖還沒有消失，而開關脈沖已提前到來，就會出現很大的導通電流，導致IGBT 管燒壞。因此，必須保證開關脈沖前沿與峰值脈沖後沿相同步。
當同步電壓比較電路受損時，會致使電磁爐在上電加熱時出現爆損IGBT 管、不加熱、不不加熱、不停地檢鍋及斷續加熱等故障。其維修步驟如下：
一台美的MC-SF 型電磁爐，通常，筆者在維修電磁爐同步電壓比較電路時，為了避免IGBT 管爆管，先取下加圈盤，因此，就造成比較電路IC2C（LM）⑨腳（+ 同相輸入端）對地為0 電壓（正常為+3.6 ），使比較電路IC2C輥輲訛腳（輸出端）為低電平（正常為+18 ）。針對該故障，在IC2C（LM）⑨腳（+ 端），用普通電阻1.5 kΩ 與整機+5 電壓端相聯構成同步電壓比較電路（+ 取樣電壓），提供維修檢測同步電壓比較電路時使用，並將電磁爐上電待測。
用萬用表直流電壓（10 ）檔測同步電壓比較電路中IC2C（LM）⑧腳（- 反相輸入端）對地為+3.4 電壓，正常，若該工作點電壓異常，多為取樣電阻R18（ kΩ/2 W）變值或開路損壞，電容C13（ pF）漏電或擊穿及IC2C（LM）損壞，會致使電磁爐上電加熱時出現不加熱、不不加熱等故障。
測IC2C（LM）⑨ 腳（+ 同相輸入端）對地為+3.6 電壓，正常。若該工作點電壓異常，多為取樣電阻R19（ kΩ/2 W）、R20（ kΩ/2 W）變值或開路，電容C10（ pF）漏電或擊穿及IC2C（LM）損壞，會致使電磁爐上電加熱時出現爆損IGBT 管、不加熱、不不加熱、不停地檢鍋及斷續加熱等故障。
測IC2C（LM）輥輲訛腳（輸出端/OUT）對地為+18 電壓，正常。若該工作點電壓異常，多為貼片電阻R39（2 kΩ）變值或開路，貼片二極體D20（1N）漏電或擊穿，會使電磁爐上電加熱時，出現不加熱的故障。
另外，當同步電壓比較電路中IC2C（LM）- 取樣電壓與+ 取樣電壓相近時（正常為-、+ 取樣電壓應相差+0.2～+0.35 ），否則，會使電磁爐在上電加熱時出現不定期爆損IGBT 管及斷續加熱等故障。
當電磁爐出現「屢損IGBT管」故障，維修時：建議將電磁爐主電路板、及控制顯示燈板，用「天那水」進行去油污清洗、吹乾後再修。
1、先將受損元器件更新如：保險管（12A）、整流橋（RS）、IGBT管（IH20T）。
2、在電磁爐主電路板電源線L端串聯接入/40W燈泡後，上電待機，用型萬能表相應直流電壓檔測高壓供電電源對地為+電壓，正常，測低壓供電電源對地為+18電壓、及AN輸出端對地為+5電壓，正常（在確保整機「三」 電壓正常後再修）。
3、取下加圈盤，用型萬能表直流電壓50檔，紅表筆接在IGBT管集電極C上、黑表筆接在整流扁橋的負極上，測電磁爐上電時浪涌峰壓值以鑒定電磁爐是否為正常。如以下例舉：
1）美的MC-SH型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+45後降至+0.7電壓，為正常。
2）美的MC-SF型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+32後降至+0.5電壓，為正常。
3）美的MC-SYC型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+32後降至+1.2電壓，為正常。
4）美的MC-CF型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+75後降至+1.4電壓，為正常。
5）美的MC-SYB型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+33後降至+0.6電壓，為正常。
6）美的MC-PSY18A型上電時，浪涌峰壓值為先上升至+20後降至+1.4電壓，為正常。若以上工作點異常，多為濾波電容器（5µF/）、及諧振電容器（0.27µF/至0.3µF/）、漏電或失效。
4、裝上加圈盤，用型萬能表直流電壓10檔，測同步比較電路取樣電壓-，應小等於取樣電壓+的+0.2至+0.35電壓，為正常。
5、焊下IGBT管控制極G上的限幅穩壓二極體（18），用型萬能表10KΩ檔測試是否漏電，建議更新它，否則將造成屢損、爆損IGBT管！
6、當電磁爐的+18低壓供電電源與排風電扇電源共用一起時，必須確保排風電扇正常，否則將造成屢損、爆損IGBT管！
7、將待修電磁爐裝好，准備上電試機；
1）當上電開機放鍋加熱時，若燈泡一閃亮後即滅為整機已修復，方可取下燈泡直接試機！
2）當上電開機放鍋加熱時，若燈泡「全亮」為「故障存在」為此，切不可取下燈泡直接試機！否則將再次出現「爆損IGBT管」故障發生，應繼續查找潛在故障，可按以上維修方法繼續進行。
損壞IGBT管大多因素：&#;&#;——張占生
電磁爐線盤是完成LC振盪的重要器件之一，它是將電能進行儲存.及釋放。有電場能.轉換為磁場能的關鍵器件。電磁爐.輸出功率的大小.效率的高低和線盤有較大的關聯。為此對它應有必要的進一步地了解。就這個問題我談一下我的見解，給朋友們一點啟示，供各位朋友以參考和討論。線盤的參數主要是兩個方面:（1）是電感量,（2）是值. 而決定這兩個參數的是銅線的外徑大小、股數.和繞在線盤上的圈數的多少,還有就是線盤上附加的磁條的磁通量.和磁條數量的多少。線盤無磁條時， 要想提高線盤的電感量必須增加線圈的匝數，(股數，和圈數)這樣做它不僅浪費了資源和成本的提高，而且導線增長直流電阻增大也不利於輸出較大的功率。為此要附加磁條來提高它的電感量。（相同匝數的線盤磁條數量越多電感量越高）查資料得知，當今家用電磁爐線盤磁條有6條，8條，看下圖
兩種類型，繞線圈數,28,30,32，圈。最為常見的為28圈的較多。現在的電磁爐線盤有兩種類型.參數為（1）電感量PSD系列為uH。（2）PD系列為uH
新型電磁爐線盤
包括線盤支架、線圈、磁條，線圈包括固定在線盤支架上的外環線圈和內環線圈，磁條包括與線圈對應設置的外圈磁條和內圈磁條，外圈磁條和內圈磁條分別呈放射狀分布，其特徵在於所述內圈磁條與外圈磁條在放射狀分布，這樣做使加熱更均勻。提高加熱效率，降低磁場的外泄，減小了電磁爐工作時對周圍環境的影響。
關於值；是衡量電感器件的主要參數。是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時，所呈現的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的值越高，其損耗越小，效率越高。這個大家應都知道吧！
再，磁條是分體的，不是整體的其原因，電磁爐工作時磁條不至於形成渦流，而使磁條產生磁飽和現象，要知道磁條磁飽和後線盤電感量會大大降低，這樣會損IGBT管的。
有以上所談可知，電磁爐線盤上的磁條地重要性了，也可以解釋我們維修員所提到的不知為什麼屢爆IGBT管，但通過換線盤而排除故障的原因所在了。（是有磁條斷裂，或磁條老化引起的電感量減小所致）。再就是線盤上的線圈和磁條擊穿短路。其實我們在維修電磁爐當中，換爐盤的故障率很低，由於當今家用電磁爐的線盤的參數差別相差不大，為此應急維修互換還是可以的。只不過是電磁爐功率輸出略有差異，當然還是換相同參數的為好！。
-張占生作圖
圖中1）微動開關
圖中2）為檢測電阻
圖中3）為功率可調電阻
圖中4）為電流互感器
圖中5）LM
圖中6）電風扇
圖中7）為高壓電源慮波電容
圖中8）為鍋底溫度控制感測器
圖中9）為高頻諧振電容
絕緣柵雙極型晶體管，是由BIT（雙極型三極體）和MOSFET（絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件）。IGBT 管有三個電極：柵極（或稱控制極）G、集電極C 和發射極E。
提醒各位同行：IGBT 25N與HT20R 不一樣 否則爆IGBT
下面圖是 阻尼二極體：
阻止交流圈。
IGBT 有帶阻尼二極體的，請把電磁爐上單個的阻尼管拆下不用。
簡解IGBT :
絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱IGBT，是一種集T的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優點於一體的高壓、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工藝的IGBT,，但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的復合結構。
IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發射極E(也稱源極) 。
從IGBT的下述特點中可看出，它克服了功率MOSFET的一個致命缺陷，就是於高壓大電流工作時，導通電阻大，器件發熱嚴重，輸出效率下降。
IGBT的特點：
1.電流密度大，是MOSFET的數十倍。
2.輸入阻抗高，柵驅動功率極小， 驅動電路簡單。
3.低導通電阻。在給定晶元尺寸和Bceo下，其導通電阻Rce(on) 不大於MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.擊穿電壓高，安全工作區大，在瞬態功率較高時不會受損壞。
5.開關速度快，關斷時間短，耐壓1k~1.8k的約1.2us、級的約0.2us，約為GTR的10%，接近於功率MOSFET，開關頻率直達KHz，開關損耗僅為GTR的30%。
IGBT將場控型器件的優點與GTR的大電流低導通電阻特性集於一體。是極佳的高速高壓半導體功率器件。
目前系列因應不同機種采了不同規格的IGBT,它們的參數如下：
(1) SGW25N----西門子出品，耐壓，電流容量25℃時46A,℃時25A，內部不帶阻尼二極體，所以應用時須配套6A/以上的快速恢復二極體(D11)使用，該IGBT配套6A/以上的快速恢復二極體(D11)後可代用SKW25N。
(2) SKW25N----西門子出品，耐壓,電流容量25℃時46A，℃時25A,內部帶阻尼二極體，該IGBT可代用SGW25N，代用時將原配套SGW25N的D11快速恢復二極體拆除不裝。
(3) GT40----東芝出品，耐壓,電流容量25℃時42A，℃時23A，內部帶阻尼二極體，該IGBT可代用SGW25N、SKW25N，代用SGW25N時請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極體拆除不裝。
(4) GT40T----東芝出品，耐壓，電流容量25℃時80A，℃時40A，內部不帶阻尼二極體，所以應用時須配套15A/以上的快速恢復二極體(D11)使用，該IGBT配套6A/以上的快速恢復二極體(D11)後可代用SGW25N、SKW25N、GT40，配套15A/以上的快速恢復二極體(D11)後可代用GT40T。
(5) GT40T----東芝出品，耐壓,電流容量25℃時80A，℃時40A，內部帶阻尼二極體，該IGBT可代用SGW25N、SKW25N、GT40、 GT40T，代用SGW25N和GT40T時請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極體拆除不裝。
(6) GT60M ----東芝出品，耐壓，電流容量25℃時A，℃時60A， 內部帶阻尼二極體。感覺還是找個專業的問問好的 或者到硬之城上面找找有沒有這個型號 把資料弄下來慢慢研究研究