igbt模塊測量方法

『壹』 檢測IGBT模塊的方法有哪些

簡單方法檢測igbt模塊的好壞

l
、判斷極性首先將萬用表撥在
r×1k
。擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（
g
）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（
c
)
：黑表筆接的為發射極（
e
）。

2
、判斷好壞將萬用表撥在
r×10kq
檔，用黑表筆接
igbt
的集電極（
c
)
，紅表筆接
igbt
的發射極
(
e
)
，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（
g
）和集電極（
c
)
，這時工
gbt
被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站們指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（
g
）和發射極（
e
)
，這時
igbt
被阻斷，萬用表的指針
回零。此時即可判斷
igbt
是好的。


3
、注意事項任何指針式萬用表鈴可用於檢測
igbt
。注意判斷igbt
好壞時，一定要將萬用表撥在
r×iok擋，因
r×ikq
檔以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使igbt
導通，而無法判斷
igbt
的好壞。此方法同樣也可以用護檢測功率場效應晶體管
(
p
一
mosfet
）的好壞。

『貳』 怎樣用數字萬用表測量IGBT模塊

1.判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判定源極S、漏極D
由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
3.測量漏-源通態電阻RDS(on)
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大於0.58W(典型值)。
檢查跨導
將萬用表置於R×1k(或R×100)檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。
(2)有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
(4)現在市售VNF系列(N溝道)產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。
(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器後，最大功率才能達到30W。
(6)多管並聯後，由於極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振盪。為此，並聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振盪電阻。
本文參考： http://www.p-e-china.com

『叄』 怎樣測量IGBT模塊以識別它的好壞

1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G)。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發射極(E)。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT的發射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極(G)和發射極(E)，這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT
注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋 以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。

『肆』 怎樣用萬用表測量變頻器IGBT模塊的好壞

用萬用表測量變頻器IGBT模塊好壞的具體步驟：
為了人身安全，首先必須確保機器斷電，並拆除電源線R 、S、T和輸出線U、V、W後放可操作！
(1)先把萬用表打到「二級管」檔，然後通過萬用表的紅色表筆和黑色表筆按以下步驟檢測：
(2)黑色表筆接觸直流母線的負極P(+),紅色表筆依次接觸R、S、T，記錄萬用表上的顯示值；然後再把紅色表筆接觸N(-)，黑色表筆依次接觸R、S、T，記錄萬用表的顯示值；六次顯示值如果基本平衡，則表明變頻器二極體整流或軟啟電阻無問題，反之相應位置的整流模塊或軟啟電阻損壞，現象：無顯示。
(3)紅色表筆接觸直流母線的負極P(+),黑色表筆依次接觸U、V、W，記錄萬用表上的顯示值；然後再把黑色表筆接觸N(-)，紅色表筆依次接觸U、V、W，記錄萬用表的顯示值；

判斷方法：六次顯示值如果基本平衡，則表明變頻器IGBT逆變模塊無問題，反之相應位置的IGBT逆變模塊損壞，現象：無輸出或報故障。

『伍』 如何檢測變頻器igbt模塊的好壞

igbt的測量方法：數字式萬用表用二極體檔位，紅色表筆放在直流母線負極，黑表筆點u
v
t3相上會有管壓降，要是壞了就會導通，這是測量下半橋。黑表筆放在直流母線正極上，紅表筆放在u
v
t3相上，也是有管壓降的。igbt的測量是根據施耐德變頻器為例的，僅供參考。

『陸』 怎樣測量IGBT

檢測IGBT模塊的的辦法
以兩單元為例:用模擬萬用表測量
靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大;
表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子,
顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個
單元沒有明顯的故障.
動態測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400毆,把表筆對調也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的.
用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的.
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G），這時IGBT 被阻 斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。

注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。

任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。
判斷IGBT的方法
1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用於檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。

『柒』 變頻器IGBT模塊怎麼檢測好壞

歐姆擋檢測：一表筆接直流母線正另一表筆分別接RST和UVW，前三個阻值比較接近和後三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常 一表筆接直流母線負另一表筆分別接RST和UVW，前三個阻值比較接近和後三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常 否則就是壞啦

『捌』 請問IGBT模塊好壞檢測的方法

檢測IGBT模塊的好壞的方法：

1、判斷極性首先將萬用表撥在 R×1K 。擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（ G ）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。

在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C ) ：黑表筆接的為發射極（ E ）。

2 、判斷好壞將萬用表撥在 R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ) ，紅表筆接 IGBT 的發射極 ( E ) ，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（ G ）和集電極（ C ) ，這時工 GBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站們指示在某一位置。

然後再用手指同時觸及一下柵極（ G ）和發射極（ E ) ，這時 IGBT 被阻斷，萬用表的指針 回零。此時即可判斷 IGBT 是好的。

3 、注意事項任何指針式萬用表鈴可用於檢測 IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在 R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護檢測功率場效應晶體管 ( P 一 MOSFET ）的好壞。

(8)igbt模塊測量方法擴展閱讀：

IGBT模塊注意事項

由於IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由於此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：

1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電後，再觸摸;

2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;

3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振盪電壓。為此，通常採用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振盪電壓。

此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由於集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。

在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間塗抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。

保存注意事項：

1. 一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別乾燥的地區，需用加濕機加濕。

2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。

3. 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。

4. 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物。

5. 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。

『玖』 怎樣用數字萬用表測量IGBT模塊

1.判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判定源極S、漏極D
由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
3.測量漏-源通態電阻RDS(on)
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大於0.58W(典型值)。
檢查跨導
將萬用表置於R×1k(或R×100)檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。
(2)有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
(4)現在市售VNF系列(N溝道)產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。
(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器後，最大功率才能達到30W。
(6)多管並聯後，由於極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振盪。為此，並聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振盪電阻。
本文參考： http://www.p-e-china.com

『拾』 哪位高手教教我如何檢測IGBT模塊的好壞

簡單方法檢測igbt模塊的好壞

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、判斷極性首先將萬用表撥在
r×1k
。擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（
g
）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（
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)
：黑表筆接的為發射極（
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）。

2
、判斷好壞將萬用表撥在
r×10kq
檔，用黑表筆接
igbt
的集電極（
c
)
，紅表筆接
igbt
的發射極
(
e
)
，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（
g
）和集電極（
c
)
，這時工
gbt
被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站們指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（
g
）和發射極（
e
)
，這時
igbt
被阻斷，萬用表的指針
回零。此時即可判斷
igbt
是好的。

3
、注意事項任何指針式萬用表鈴可用於檢測
igbt
。注意判斷igbt
好壞時，一定要將萬用表撥在
r×iok擋，因
r×ikq
檔以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使igbt
導通，而無法判斷
igbt
的好壞。此方法同樣也可以用護檢測功率場效應晶體管
(
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一
mosfet
）的好壞。