如何降低阈值电压的方法

1. 阈值电压影响因素

影响cmos阈值电压的因素：

1、栅氧化层厚度TOX

2、衬底费米势

3、金属半导体功函数差

4、耗尽区电离杂质电荷面密度

耗尽区电离杂质电荷面密度近似地与衬底杂质浓度N的平方根成正比

5、栅氧化层中的电荷面密度Qox

阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。

一开始学习MOS管的工作原理，就引入了阈值电压的概念，但教科书所讲的阈值电压的概念都是建立在器件比较理想的模型基础上的，对于实际的器件，从线性区到饱和区的转换是有一个过渡区的，此时对阈值电压的定义需要遵循一定的标准。经常发生的一个问题是，不同工艺线中相类似的器件作比较时，因为没有确定一个统一的标准，导致工艺的比较不是非常的科学准确。本文就对阈值电压的定义方法作一些简单的讨论，尝试对业界现在流行的方法作出更详细的解释。

2. 如果想改变反相滞回比较器的阈值电压应改变哪些参数

2、反相滞回比较器
工作原理：滞回比较器的三个主要参数是：阈值电压V1、V2和回差电压VH，改变基准电压VREF（也叫参考电压）的大小，可同时调节两个阈值电压V1和V2的大小，且不影响回差电压值VH；改变Rw和R2的比值或输出电压的正负幅度可以调整回差值大小。提示：如果电路中遇到干扰电压时，可以适当调节Rw和R2的比值，使干扰信

(a) 电路图 (b) 传输特性
图10－2 滞回比较器
号的峰值落在回差电压范围内，就不会引起电路输出端的误动作，即错误的翻转。实验电路如图10－2所示
（1）按图接线，并将Rw调为100K（或用实验箱上100K电阻直接连上）。输入信号Ui接实验箱左侧直流电压-5V-+5V输出端并用万用表直流电压档调到大约±0.8v左右（视运放同相端3脚对地电压而定）。测出V0从U+跳变到U-时Ui的临界值。（原理与方法1：当输入电压Ui经过R1电阻进入运放反相输入端2脚后，此电压一旦与同相端3脚U∑对地电压相等（Ui=±U∑），就使得输出电压Uo发生反相跳变，这一变化使同相端3脚+U∑重新得到一个与原来相反的对地直流电压-U∑(此电压与U∑大小基本相等，极性相反。由分压公式知： U∑={10K/（100K+10K)} ±Uo)。我们只需用万用表直流电压档先测量一下3脚U∑对地电压值，就可知输入电压Ui为多大值时，输出端Uo必然发生反相跳变。两次测量U∑，可知U0从U+跳变到U-时和U-从变到U+时Ui的临界值。（2）为了观察Uo上下跳变，将示波器耦合方式选为DC，Y轴衰减置为5V/DIV,以便观察输出端Uo直流电压的上、下跳变。
（3）Vi接信号发生器f=500Hz，有效值为1-3V的正弦波，观察并记录Ui和U0的波形。
（4）将电路中的Rw调为200K，重复上述实验（只不过是分压比变了，±U∑对地电压变小了）。
（5）参考公式: ；

3. mosfet制备中调整阈值电压的常用方法有哪些

例如，对于耗尽型n-MOSFET，在栅电压为0时即存在电子导电的沟道，就是线性导通状态；只有加上一定的栅极电压（负电压）后才能使沟道消失（整个沟道夹断），这时的栅电压称为”夹断电压”Vp，也就是耗尽型FET的阈值电压，当“源漏电压Vds≥夹断电压Vp减去栅源电压Vgs”时，沟道即在靠近漏极处被夹断，晶体管就进入饱和导通状态，输出电流最大、并饱和，同时跨导也最高——放大工作区。 值得注意，FET在饱和状态时沟道的夹断与没有沟道是两回事。沟道在漏端被夹断后，并不是不能导电，因为夹断区实际上就是一个存在电场的耗尽区，只要载流子（多数载流子）一到达耗尽区边缘，就立即被电场扫到集电极而输出电流。所以，沟道在一端被夹断后的导电性能将更好（导电性决定于未被夹断的部分沟道），这与完全没有沟道的截止状态完全不同。 对于JFET，其线性导通和饱和导通的情况与MOSFET的相同。

4. 笔记本电池阈值该怎么去调整

一、注意使用中的细节

在实际使用过程中，很多没有被注意到的细节，已经影响了你电池的寿命。比如当笔记本处交流供电状态关机后，等待电源指示灯和屏幕下方的所有指示灯熄灭后即随拔掉交流插头（不要迟于5秒）。因为电源灯熄灭之后主板仍在工作，此时拔掉插头电池就会开始工作，从而加速了电池更快地跌落至设置的起始充电电量值，从而缩短了电池的充用周期，影响了电池的使用寿命。

另外，当使用交流供电时，适配器的输入插头和输出插头插（卸）先后顺序的正确操作方法是：先把交流适配器的输出插头插到电源插孔，然后再把输入插头插到电源插座上；而卸下时则应先把输入插头拔下，然后再把输出插头拔出。这样可以防止适配器处于空载状态而被损坏。

二、使用中的保养和储存

1、电池的充电次数受到其寿命的限制，因此所处场所有交流电源时，应尽量使用交流电源，尽量减少电池的充电次数，以延长电池的寿命；

2、当电量为3％到5％时，应及时给电池充电，否则电池的自放电现象会造成过放电而损害电池，充电时机器可以处于任何状态，边充边用也并不会损害电池；

3、电量没有完全耗尽前(即电量在5~100%)，不要对电池进行充电，否则会因缩短充用周期增加充电次数而缩短电池的寿命；

4、若电池较长时间（数个月）不用，应从机器上取下保存备用；若电池长时间不用，应将其电量设置至30％到50％后储存；不要将电池放在高温和寒冷的环境中，电池性能会暂时降低。应将处保存备用状态和储存状态的电池放置于温度较低的地方，对于电池，最佳的温度范围约为10~20摄氏度。

三、关于电池的激活处理

大家都知道，刚购买的新电池要进行激活处理，即100％充放电，其实随机帮助中说“每月重整您的电池，即让您的电池电量在3％以下，这样会提高您的电池容量”，其用意在于调整电池管理芯片和充电控制芯片中各个寄存器的值为正常值。电量统计芯片通过记录放电曲线（电压、电流、时间）可以抽样计算出电池的电量，而如果芯片一直没有机会再次读出完整的曲线，其计算结果也可可能是不准确的，因此需要深充放来校准。具体的方法是点击“电池维护”－> “执行重新设置”。

四、关于充电起始阈值的调整

如果您主要使用ac电源，仅偶尔使用电池，您可以改变电池充电阀值，来提高您的电池寿命。预设的充电起始值为96％，因为电池充满电后因自放电现象而电量下滑至96％一般历时约50天左右，而电池刚好每一个半月左右需进行一次放电和充电整理。

但如果你经常需在办公室和设备现场之间“两地”奔忙，在交流适配器供电和电池供电之间频繁切换，应充电起始值设置为6％，这样可以避免因缩短充用周期增加充电次数而缩短电池的寿命。具体的方法是点击“电池维护”－> 修改“低于以下值开始充电”的数值。

注意事项：

1，充电阀值设置仅仅在batterymaximiser运行的情况下有效；

2，充电终止百分比至少要比充电起始百分比高4％；

3，由于电池老化，一般将充电阀值的设置比理想值高2％；

4，当充电停止百分比小于100％时，请每三个月对电池进行一次100％充电。

5. mos晶体管的MOS晶体管 - 阈值电压的影响因素

第一个影响阈值电压的因素是作为介质的二氧化硅(栅氧化层)中的电荷Qss以及电荷的性质。这种电荷通常是由多种原因产生的，其中的一部分带正电，一部分带负电，其净电荷的极性显然会对衬底表面产生电荷感应，从而影响反型层的形成，或者是使器件耗尽，或者是阻碍反型层的形成。Qss通常为可动正电荷。
第二个影响阈值电压的因素是衬底的掺杂浓度。从前面的分析可知，要在衬底的上表面产生反型层，必须施加能够将表面耗尽并且形成衬底少数载流子的积累的栅源电压，这个电压的大小与衬底的掺杂浓度有直接的关系。衬底掺杂浓度(QB)越低，多数载流子的浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需要的电压VGS越小。
所以，衬底掺杂浓度是一个重要的参数，衬底掺杂浓度越低，器件的阈值电压数值将越小，反之则阈值电压值越高。对于一个成熟稳定的工艺和器件基本结构，器件阈值电压的调整，主要通过改变衬底掺杂浓度或衬底表面掺杂浓度进行。衬底表面掺杂浓度的调整是通过离子注入杂质离子进行。
第三个影响阈值电压的因素是由栅氧化层厚度tOX决定的单位面积栅电容的大小。单位面积栅电容越大，电荷数量变化对VGS的变化越敏感，器件的阈值电压则越小。
实际的效应是，栅氧化层的厚度越薄，单位面积栅电容越大，相应的阈值电压数值越低。但因为栅氧化层越薄，氧化层中的场强越大，因此，栅氧化层的厚度受到氧化层击穿电压的限制。选用其他介质材料做栅介质是当前工艺中的一个方向。例如选用氮氧化硅 SiNxOy 替代二氧化硅是一个微电子技术的发展方向。正在研究其它具有高介电常数的材料，称为高k栅绝缘介质。
第四个对器件阈值电压具有重要影响的参数是栅材料与硅衬底的功函数差ΦMS的数值，这和栅材料性质以及衬底的掺杂类型有关，在一定的衬底掺杂条件下，栅极材料类型和栅极掺杂条件都将改变阈值电压。对于以多晶硅为栅极的器件，器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化。
可见，在正常条件下，很容易得到增强型PMOS管。为了制得增强型NMOS管，则需注意减少Qss、Qox，增加QB。采用硅栅工艺对制做增强型NMOS管和绝对值小的增强型PMOS管有利。

6. 怎样把充电器的4.2v电压降下来3.6v充3v电池

可以串联一个硅二极管，硅二极管的压降是0.7V，降压后即可对3V电池充电。
二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。

7. 阈值电压为什么受源体的影响

碳基半导体材料，其实就是将晶体管的沟道由硅变成了碳纳米管，被称为碳纳米晶体管。

先说说晶体管哪些参数比较重要：1、器件尺寸，器件尺寸越小，密度越高。2、载流子迁移率（材料）、饱和电流，决定器件的驱动能力和芯片速度。3、漏电流，决定静态功耗。4、阈值电压，决定工作电压和功耗。5、良品率。

对应于上面参数，碳纳米管能在哪些方向超越硅哪？1、碳纳米管理论上比硅适合做小尺寸器件，硅尺寸缩小要和短沟道效应抗争，还涉及一定的trade off。2、碳纳米管理论上载流子迁移率远高于硅，但是碳纳米管实测电流还没有到可以和硅竞争的水平（最近彭老师的Nature应该已经比较接近了），因为碳纳米管是1维材料，是一根一根线，硅是体材料，是整个反型层导电，导致只有碳纳米管密度达到一定阈值才能超过硅。3、漏电流，碳纳米管漏电流算一个硬伤，因为在制备半导体性碳纳米管的同时，会得到一定量的金属性碳纳米管，这些碳纳米管是没有栅控能力，常开的。4、阈值电压，硅和碳纳米管的阈值电压都主要和栅金属选择有关，谈不上优势。5、良品率，由于金属性碳纳米管，良品率大概率没硅那么高。（可以预期未来的水平）

综上，碳纳米管只对硅存在理论优势，而半导体工业换材料是非常困难的，换栅氧都争论了很久，更别说换更重要的沟道材料，而且工艺差距还很大。只要碳纳米管对硅没有绝对优势，未来还会是硅的天下。

碳纳米管为了取代硅，以可以预见的未来是很难的，需要完成：1、材料技术，可以获得高密度，高均一性，低金属性碳纳米管含量的半导体性碳纳米管薄膜。2、电路设计技术，如果金属性碳纳米管不可避免，如何在电路设计时趋利避害。3、推进5nm以下工艺，因为硅能做5nm，公司很难再投资5nm碳纳米管，所以碳纳米管集成密度必须超过5nm FinFET。

所以，我不看好碳纳米管取代硅，或者在高性能集成电路领域（CPU、DSP等）取代硅，但是还存在一些硅很弱势的领域，碳纳米晶体管电路还是大有可为的，例如集成射频电路（碳纳米晶体管的高载流子迁移率带来的优秀射频特性）、三维集成（推荐看看Max Shulaker的工作，碳纳米管系统的神仙）、柔性集成系统（碳纳米管TFTs）。

8. 掺杂浓度增加一倍阈值电压怎么变

降低，掺杂是为了提供载流子，载流子多利于导电所以 阈值电压降低，认真看一下二极管的导通原理，你会明白的

9. 降低nmos开启电压的vt方法

开启电压又称阈值电压,使得源极S和漏极D之间形成导电沟道所需的栅极的当压,标准的N沟道MOS管VT约为3~6V。