igbt模块测量方法

‘壹’ 检测IGBT模块的方法有哪些

简单方法检测igbt模块的好坏

l
、判断极性首先将万用表拨在
r×1k
。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（
g
）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（
c
)
：黑表笔接的为发射极（
e
）。

2
、判断好坏将万用表拨在
r×10kq
档，用黑表笔接
igbt
的集电极（
c
)
，红表笔接
igbt
的发射极
(
e
)
，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（
g
）和集电极（
c
)
，这时工
gbt
被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（
g
）和发射极（
e
)
，这时
igbt
被阻断，万用表的指针
回零。此时即可判断
igbt
是好的。


3
、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测
igbt
。注意判断igbt
好坏时，一定要将万用表拨在
r×iok挡，因
r×ikq
档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使igbt
导通，而无法判断
igbt
的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管
(
p
一
mosfet
）的好坏。

‘贰’ 怎样用数字万用表测量IGBT模块

1.判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3.测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W(典型值)。
检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4(mm)的散热器后，最大功率才能达到30W。
(6)多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
本文参考： http://www.p-e-china.com

‘叁’ 怎样测量IGBT模块以识别它的好坏

1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡 以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

‘肆’ 怎样用万用表测量变频器IGBT模块的好坏

用万用表测量变频器IGBT模块好坏的具体步骤：
为了人身安全，首先必须确保机器断电，并拆除电源线R 、S、T和输出线U、V、W后放可操作！
(1)先把万用表打到“二级管”档，然后通过万用表的红色表笔和黑色表笔按以下步骤检测：
(2)黑色表笔接触直流母线的负极P(+),红色表笔依次接触R、S、T，记录万用表上的显示值；然后再把红色表笔接触N(-)，黑色表笔依次接触R、S、T，记录万用表的显示值；六次显示值如果基本平衡，则表明变频器二极管整流或软启电阻无问题，反之相应位置的整流模块或软启电阻损坏，现象：无显示。
(3)红色表笔接触直流母线的负极P(+),黑色表笔依次接触U、V、W，记录万用表上的显示值；然后再把黑色表笔接触N(-)，红色表笔依次接触U、V、W，记录万用表的显示值；

判断方法：六次显示值如果基本平衡，则表明变频器IGBT逆变模块无问题，反之相应位置的IGBT逆变模块损坏，现象：无输出或报故障。

‘伍’ 如何检测变频器igbt模块的好坏

igbt的测量方法：数字式万用表用二极管档位，红色表笔放在直流母线负极，黑表笔点u
v
t3相上会有管压降，要是坏了就会导通，这是测量下半桥。黑表笔放在直流母线正极上，红表笔放在u
v
t3相上，也是有管压降的。igbt的测量是根据施耐德变频器为例的，仅供参考。

‘陆’ 怎样测量IGBT

检测IGBT模块的的办法
以两单元为例:用模拟万用表测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;
表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子,
显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个
单元没有明显的故障.
动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400殴,把表笔对调也有大约300-400殴的电阻表明此IGBT单元是完好的.
用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的.
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。

注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。

任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
判断IGBT的方法
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

‘柒’ 变频器IGBT模块怎么检测好坏

欧姆挡检测：一表笔接直流母线正另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常 一表笔接直流母线负另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常 否则就是坏啦

‘捌’ 请问IGBT模块好坏检测的方法

检测IGBT模块的好坏的方法：

1、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。

在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。

2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发射极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。

然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。

3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 ( P 一 MOSFET ）的好坏。

(8)igbt模块测量方法扩展阅读：

IGBT模块注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：

1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;

2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;

3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。

在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。

保存注意事项：

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿。

2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合。

3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方。

4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物。

5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。

‘玖’ 怎样用数字万用表测量IGBT模块

1.判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3.测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W(典型值)。
检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4(mm)的散热器后，最大功率才能达到30W。
(6)多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
本文参考： http://www.p-e-china.com

‘拾’ 哪位高手教教我如何检测IGBT模块的好坏

简单方法检测igbt模块的好坏

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、判断极性首先将万用表拨在
r×1k
。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（
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）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（
c
)
：黑表笔接的为发射极（
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）。

2
、判断好坏将万用表拨在
r×10kq
档，用黑表笔接
igbt
的集电极（
c
)
，红表笔接
igbt
的发射极
(
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)
，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（
g
）和集电极（
c
)
，这时工
gbt
被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（
g
）和发射极（
e
)
，这时
igbt
被阻断，万用表的指针
回零。此时即可判断
igbt
是好的。

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、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测
igbt
。注意判断igbt
好坏时，一定要将万用表拨在
r×iok挡，因
r×ikq
档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使igbt
导通，而无法判断
igbt
的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管
(
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一
mosfet
）的好坏。