1. 静电放电有哪几种形式
带电人体的静电放电模式、带电机器的放电模式和充电器件的放电模式等三种模式
1.带电的人体的放电模式(HBM)
由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦,又与元器件接触,所以人体易带静电,也容易对元器件造成静电损伤。普遍认为大部分元器件静电损伤是由人体静电造成的。带静电的人体可以等效为图1.5的等效电路,这个等效电路又称人体静电放电模型(Human
Body
Model)。其中,Vp带静电的人体与地的电位差,Cp带静电的人体与地之间的电容量,一般为50-250pF;Rp人体与被放电体之间的电阻值,一般为102-105Ω
人体与被放电体之间的放电有两种。即接触放电和电弧放电。接触放电时人体与被放电之间的电阻值是个恒定值。电弧放电是在人体与被放电体之间有一定距离时,它们之间空间的电场强度大于其介质(如空气)的介电强度,介质电离产生电弧放电,暗场中可见弧光。电弧放电的特点是在放电的初始阶段,因为空气是不良导体,放电通道的阻抗较高,放电电
流较小;随着放电的进行,通道温度升高,引起局部电离,通道阻抗逐渐降低,电流增大,直至达到一个峰值;然后,随着人体静电能量的释放,电流逐渐减少,直至电弧消失.
2.带电机器的放电模式
机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。机器放电的模型(Machine
Model)如图1.6所示。与人体模式相比,机器没有电阻,电容则相对要大。
3.充电器件的放电模型
(CDM)
在元器件装配、传递、试验、测试、运输和储存的过程中由于壳体与其它材料磨擦,壳体会带静电。一旦元器件引出腿接地时,壳体将通过芯体和引出腿对地放电。这种形式的放电可用所谓带电器件模型(Charged-Device
Model,CDM)来描述。下面以双极型和MOS型半导体器件为例给出静电放电的等效电路。
2. 电路图 esd
esd
ESD的意思是“静电释放”的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的缩写
ESD知识介绍
静电是一种客观的自然现象,产生的方式多种,如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。
人体自身的动作或与其他物体的接触,分离,摩擦或感应等因素,可以产生几千伏甚至上万伏的静电。
静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体经典是电子工业中的两大危害。
生产过程中静电防护的主要措施为静电泄露、耗散、中和、增湿,屏蔽与接地。
人体静电防护系统主要有防静电手腕带,脚腕带,工作服、鞋袜、帽、手套或指套等组成,具有静电泄露,中和与屏蔽等功能。
静电防护工作是一项长期的系统工程,任何环节的失误或疏漏,都将导致静电防护工作的失败。
静电的危害:
静电在我们的日常生活中可以说是无处不在,我们的身上和周围就带有很高的静电电压,几千伏甚至几万伏。平时可能体会不到,人走过化纤的地毯静电大约是35000伏,翻阅塑料说明书大约7000伏,对于一些敏感仪器来讲,这个电压可能会是致命的危害。
静电学主要研究静电应用技术,如静电除尘、静电复印、静电生物效应等。更主要的是静电防护技术,如电子工业、石油工业、兵器工业、纺织工业、橡胶工业以及兴航与军事领域的静电危害,寻求减少静电造成的损失 近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题,已经成为一个迫切需要解决的问题。一方面,一些电阻率很高的高分子材料如塑料,橡胶等的制品的广泛应用以及现代生产过程的高速化, 使得静电能积累到很高的程度,另一方面,静电敏感材料的生产和使用, 如轻质油品, 火药, 固态电子器件等, 工矿企业部门受静电的危害也越来越突出,静电危害造成了相当严重的后果和损失。它可以在不经意间将昂贵的电子器件击穿,造成电子工业年损失达上百亿美元。在兴航工业,静电放电造成火箭和卫星发射失败,干扰兴航飞行器的运行。1967年7月29日,美国Forrestal航空母舰上发生严重事故,一家A4飞机上的导弹突然点火,造成了7200万美元的损失,并损伤了134人,调查结果是导弹屏蔽接头不合格,静电引起了点火。1969年底在不到一个月的时间内荷兰、挪威、英国三艘20万吨超级油轮洗舱时产生的静电引起相继发生爆炸。
我国近年来在石化企业曾发生30多起因静电造成了严重火灾爆炸事故。许多工业发达国家都建立了静电研究机构,我国从60年代末开始开展了一些静电研究工作,80年代开始以来, 我国的静电研究发展极为迅速。1981年成立了中国物理学会静电专业委员会并召开了第一次全国静电学术会议,全国性的和各地方的静电学术会议不断召开,静电研究和应用的范围也越来越广,科研队伍不断壮大。
二.什么是ESD?
简言之,ESD就是电荷的快速中和,电子工业每年花在这上面的费用有数十亿美元之多。我们知道所有的物质都由原子构成,原子中有电子和质子。当物质获得或失去电子时,它将失去电平衡而变成带负电或正电,正电荷或负电荷在材料表面上积累就会使物体带上静电。电荷积累通常因材料互相接触分离而产生,也可由摩擦引起,称为摩擦起电。
有许多因素会影响电荷的积累,包括接触压力、摩擦系数和分离速度等。静电电荷会不断积累,直到造成电荷产生的作用停止、电荷被泄放或者达到足够的强度可以击穿周围物质为止。电介质被击穿后,静电电荷会很快得到平衡,这种电荷的快速中和就称为静电放电。由于在很小的电阻上快速泄放电压,泄放电流会很大,可能超过20安培,如果这种放电通过集成电路或其他静电敏感元件进行,这么大的电流将对设计为仅导通微安或毫安级电流的电路造成严重损害。
有多种模型可以用来表述器件如何受到损害,如人体模型(HBM)、机器模型(MM)、带电器件模型(CDM)以及电场对器件的影响等。对于自动装配设备而言,主要考虑后三种损坏模型(模式),我们在下面分别进行讨论。
机器模型/模式 自动装配设备使用导轨、传动带、滑道、元件运送器和其他装置来移动器件使之按工艺要求的方向运动,如果设备设计不当,传动带和运送系统上可能会积累大量电荷,这些电荷将在工艺过程中通过器件泄放。设备部件通过器件放电就称为机器模型/模式。
带电器件模型/模式 如果一个器件因某种原因累积了电荷并与一个带电少的表面相接触,电荷就会通过器件上的导电部分泄放。当器件向其他材料放电时,就称为带电器件模式,用带电器件模型表示。
电场影响 电场感应会在IC阻性线路间产生电位差,引起绝缘体介质击穿。造成失效的另一个原因是器件上的电荷在电场中会被极化,从而产生电位差并向异性电荷放电,形成双重放电或中和。在ESD控制中使用了具有不同电阻特性的材料,这些材料用在自动装配设备中可以获得理想的效果。描述材料电阻特性通常用表面电阻率或体电阻率。
常见概念及应用
表面电阻率 简单地说表面电阻率就是同一表面上两电极之间所测得的电阻值,将电极形状和电阻值结合在一起通过计算可得到单位面积的电阻值。现在市面上可以买得到读数为单位面积电阻值的测量仪。
体电阻率 体电阻率是通过材料厚度的电阻值,单位是Ω·cm。
导电材料 导电材料指表面电阻率和体电阻率分别小于106Ω和106Ω·cm的材料。
耗散材料 耗散材料指表面电阻率和体电阻率分别小于1012Ω或1012Ω·cm的材料。
防静电材料 “防静电”指的是能够抑制电荷累积,可以在材料制造过程中添加或者局部加入某种物质得到这种特性。防静电材料无需用表面或体电阻率表示。
导电添加剂和薄膜 如果由于成本或者其他设计上的原因只能使用塑料材料或复合材料时,可以使用添加剂改善静电特性,将添加剂混入塑料材料中,根据添加剂和树脂百分比不同可获得所需的导电性或耗散性。
在树脂中加入纤维可以使之获得导电性或耗散性并增强强度,这种纤维可能本身就有导电性或者采用了表面电镀工艺。虽然添加纤维可得到这些好处,但它也改变了收缩率和韧性。填充剂可以提供导电性和耗散性,增加强度,但常常会降低基体树脂的硬度。表1是一些常见的导电添加剂。
传送带 传送带用来输送元件、PCB和其他器件,材料一般为塑料、纤维制品或橡胶。如果传送带要接收从机器其他部分传来的器件,那么它应该采用耗散性材料。当传动带表面电阻率为1~106Ω时,它会使带电器件放电速度太快,对器件造成损害;当表面电阻在106~109Ω时,只要传送带通过转轮滑轮和机架良好接地,传送带上就不会带电。
另一个要考虑的问题是传送带速度。如果传送带运动速度太快,器件放到传送带上时就可能会滑动(或者器件保持不动而传送带继续在动),这时就会形成摩擦生电,传送带如果接地能使电荷耗散掉,但是器件或PC板仍带有电荷而会造成危害。
导向装置和导轨 导向装置和导轨用来提供通道或者使器件放于一个固定的位置或保持一定的方向性,采用的材料应能使电荷耗散掉并且防止器件摩擦生电。表面电阻率为106Ω的材料具有良好耗散性而且不会损伤器件,如果送入的器件处于无静电状态,也可以使用导电性材料(表面电阻率低于106Ω)。
ESD静电保护总则:
1. 概述
随着多媒体应用在每个人的日常生活中扮演的角色日益增长,计算机与消费电子之间的关系也日益密切,对便携性和功能性方面的增长会有持续性的需求。这就要求元件有更高的集成度——总的趋势却是导致敏感而昂贵的芯片,由于存在外部接口的ESD 浪涌而遭到损坏的风险也在增长。
为了抵消这种风险,Philips 提供了一系列宽范围的完整分立产品,致力于保护、消除和滤波所有相关的I/O 端口。Philips 的保护器件兼容最高的ESD 标准,这对所有CE 设备都是必须的:IEC 61000-4-2 level 4,8 kV(接触放电)和15 kV(非接触放电)。
作为USB 开发者论坛的关键成员,Philips 提供了多种保护解决方案,包括用于USB 接口的滤波和消除器件,范围从主板到笔记本。
2. USB 1.1 – 端口保护
2.1 应用领域:MP3 播放器、PDA、数码相机通用串行总线(USB)是一种支持热插拔和可移动的系统,因此对静电特别敏感。Philips提供的ESP 保护二极管,以及联合ESD 保护、滤波和消除的器件,针对所有便携式USB 1.1应用,比如PDA、MP3 播放器和数码相机。
2.2 IP4058CX8/LF 重要特性
线路终端。
EMI 滤波。
8 kV I/O ESD 保护。
8 kV ESD ID 管脚保护。
2.3 PESD5V0L2UM 重要特性
15 kV 接触I/O ESD 保护。
极低的漏电电流5 nA。
很低的电容16 pF。
极小的SMD 封装。
3. USB 2.0 -单端口OTG 保护
3.1 应用领域:打印机,数码相机
USB2.0 接口由一对差分数字信号构成,数据传输率最高达到480 Mbps,普遍运用于连接个人PC,笔记本和嵌入式计算机工作站的外设端口。Philips 在USB 运用中提供了一系列的超低电容的ESD 保护器件。
3.2 IP4059CX6/LF 重要特性
8 kV 接触I/O ESD 保护。
15 kV 接触 ESD ID 管脚保护。
很小的面积。
4. USB 2.0 -单端口保护
4.1 应用领域:打印机、数码相机、笔记本
由于处理数据的速率高达480Mbps,USB 2.0 接口为了避免信号失真而需要配备具有超低线路电容的ESD 保护器件。Philips 的超低电容ESD 保护系列器件非常适合于USB 应用,包括打印机、数码相机和笔记本。
4.2 PRTR5V0U2X 重要特性
8 kV 接触I/O ESD 保护。
超低的线路电容1.0 pF 。
4.3 PRTR5V0U2AX 重要特性
12 kV 接触I/O ESD 保护。
超低的线路电容1.8 pF。
5. USB 2.0 –双端口保护
5.1 应用领域:笔记本,PC 主板
在使用双端口USB 2.0 设备时,为了使干挠带来的风险最小化,推荐使用最低电容的
ESD 保护器件。电容仅有1 pF,Philips PRTR5V0U4D 提供了服从IEC61000-4-2 标准的防护。
5.2 PRTR5V0U4D 重要特性
12 kV 接触ESD 保护。
超低的线路电容1.0 pF。
6. RGB/VGA 接口
6.1 应用领域:图形卡,笔记本,PC 主板,监视器
VGA 接口广泛用于图形卡,笔记本,PC 主板和监视器之间的模拟视频信号的连接,当需要高级别的ESD 保护时,Philips 同样有完整的终端和线路电阻,解决电磁干扰(上拉电阻可选)的独立器件IP4273CZ16。还有提供给用户最大限度可调的ESD 器件IP4274CZ16,不带上拉电阻,允许不同阻值的上拉电阻从而应用于一些特殊的设计场合。
6.2 IP4273CZ16 重要特性
8 kV 接触ESD 保护。
超低5 pF 的线路电容。
线路终端。
上拉电阻(可选)。
EMI 滤波。
完全集成的75 欧电阻。
6.3 IP4274CZ16 重要特性
8 kV 接触ESD 保护。
超低5 pF 的线路电容。
线路终端。
EMI 滤波。
完全集成的75 欧电阻。
6.4 IP4272CZ16 重要特性
8 kV 接触ESD 保护。
超低5 pF 的线路电容。
线路终端。
EMI 滤波。
RGB 输入输出独立。
完全集成的75 欧电阻。
7. DVI/HDMI 接口
7.1 应用领域:液晶电视,监视器,DVD
DVI 和HDMI 接口已常用于数字视频与音频和显示平板的连接。由于高频信号(最高
达1.6GHz)的处理要求这些数据线配置极低的线路电容。Philips 提供了独特的1pF 的线路电容保护器件。性能继续维持8 kV 的可接触的IEC61000-4-2 标准。
7.2 PRTR5V0U8S 和PRTR5V0U4D 重要特性
8 kV 接触ESD 保护。
4、6、8 轨到轨通道。
超低的1 pF 的电容。
8. IEEE 1284 接口
8.1 应用领域:并行打印端口
对于传统的并行端口(IEEE 1284),Philips 提供了多种ESD 保护二极管组,他们集成在一个很小的SMD 封装里,从4 线到18 线不等的ESD 保护。与离散的二极管相比,这种ESD 的箝位性能更加优良。
8.2 IEEE 1284 接口ESD 芯片重要特性
15 kV 接触ESD 保护。
超低的泄漏电流5 nA。
很低的电容16 pF。
9. 独立的音频/视频接口
9.1 应用领域:笔记本,PC 主板,声音和图像卡
外部接口开放的音频信号线需要ESD 保护去驱动音频芯片。Philips 提供了一款小巧的
4 通道ESD 保护器件,以较低的综合成本给消费者最大的利益。
9.2 PRTR5V0U4D 重要特性
8 kV 接触ESD 保护。
超低的1 pF 的电容。
9.3 PRTR5V0L4UW 重要特性
15 kV 接触ESD 保护。
很小的电容16 pF。
超小的SOT665 SMD 封装。
10. S-视频/音频接口
10.1 应用领域:笔记本,PC 主板,声音和图像卡
外部接口开放的音频信号线需要ESD 保护去驱动音频芯片。Philips 提供了一款小巧的
4 通道ESD 保护器件,以较低的综合成本给用户最大的利益。
10.2 PRTR5V0U4D 重要特性
8 kV 接触ESD 保护。
超低的1 pF 的电容。
10.3 PESD5V0L5UW 重要特性
15 kV 接触ESD 保护。
很小的电容16 pF。
超小的SOT666 SMD 封装。
11. SCART 接口
11.1 应用领域:录像机,机顶盒,DVD 刻录机
SCART 接口在电视机到录像机,机顶盒,DVD 录像机和人造卫星接收器的连接中得到了广泛的应用。由于这些应用中使用了敏感的IC 器件,ESD 保护显得非常重要。尤其是视频和音频信号线。
11.2 PRTR5V0U8S 和PRTR5V0U4D 重要特性
8 kV 接触ESD 保护。
4、6、8 轨到轨通道。
超低的1 pF 的电容。
11.3 PESD5V0L7BAS 和PESD5V0L5UW 重要特性
15 kV 接触ESD 保护。
5 和8 叠ESD 保护二极管组。
很小的电容16 pF。
12. IEEE 1394
12.1 应用领域:笔记本,数字便携式摄像机
IP4224CZ6 是保护TPA 和TPB 数据通道的静电放电的最佳方法。而且每一个器件内集
成55W 的终端电阻,从而达到极好的性能匹配。一个典型的应用如下所示:
12.2 IP4224CZ6 重要特性
电阻匹配在TPA 与TPB 之间。
不需添加过压保护。
13. LVDS
13.1 应用领域:液晶面板,打印机,网络集线器
LVDS 数据线连接广泛应用于高速数据信号传输,例如,在商用打印机或者LCD 面板
与转接板的连接。这些应用需要ESD 保护是由于使用了敏感的IC 器件。对于这些高速数据线,轨到轨保护器件完全适用。
13.2 PRTR5V0U4D 重要特性
8 kV 接触ESD 保护。
超低的电容1 pF。
14. 高速接口
14.1 应用领域:局域网,G 比特以太网
新的Philips 轨到轨家族被用来同时解决两个高速接口的问题,超低的线路电容和高要
求的ESD 保护。
14.2 高速接口ESD 器件重要特性
8 kV 接触ESD 保护。
2、4、6、8 轨到轨通道。
超低的线路电容1.0 pF。
3. 静电放点控制方案计划有哪些要求
东莞歌晟颐防静电专家:一个实用的计划主要有哪能些要求?标准中6.1.1.2静电放电控制方案计划之指导原则中“一个实用的计划的一个主要要素就是对零件,装置及设备的静电放电敏感性和防护水平的评估。建立静电放电敏感度的通用方法是,从三种用于描述静电放电特性的放电模型中,即人体模型(HBM)、机器模型(MM)、带电器件模型(CDM)选用一种或多种模型。”
确定静电放电敏感度是静电放电控制方案计划的关键内容,只有确定了静电放电敏感度才能制定静电放电控制方案计划和采用科学合理的必要措施,才能“选择具体的静电放电控制流程或材料”。否则可能制定一些荒唐的措施或购买一些对控制ESD没有丝毫用处的不必要的“防护装备”,而且S20.20标准只“对静电放电损害的敏感度超过或等于人体模型的100V”才适用,也就是说只有确定了静电放电敏感度,审核和认证才有依据才有意义,否则制定的方案即不科学,也不合理,更不充分,可能花了很多时间和费用,还是没有很好地控制ESD。
4. 静电等级管理中有,HBM CDM MM三种电压模式管理,具体指的是什么
带电机器的放电模式和充电器件的放电模式通过对静电的主要来源以及实际发生的静电放电过程的研究认为,即带电人体的静电放电模式,对元器件造成损伤的主要三种模式。
5. 静电放电有哪三种模式
常见的静电放电模式:
1. HBM,人体放电模型,即带电人体对器件放电,导致器件损坏。放电途径为:人体——器件——地。
2.MM,机器模型,即带电设备对器件放电,导致器件损坏。放电途径为:机器——器件——地。
3.CDM,带电器件模型,即带电器件直接对敌放电。放电途径为:器件——地。
4.FICDM,感应放电模型,即器件感应带电后放电。途经:电场——器件带电——地。
6. 静电释放的模式有那几种
静电对电子产品的损害有多种形式,其中最常见、危害最大的是静电放电(ESD)。带静电的物体与元器件有电接触时,静电会转移到元器件上或通过元器件放电;或者元器件本身带电,通过其它物体放电。这两种过程都可能损伤元器件,损伤的程度与静电放电的模式有关。实际过程中静电的来源有很多,放电的形式也有多种。但通过对静电的主要来源以及实际发生的静电放电过程的研究认为,对元器件造成损伤的主要是三种模式,即带电人体的静电放电模式、带电机器的放电模式和充电器件的放电模式。图1.3和1.4分别是人体放电和充电器件放电的实例图。
1.带电的人体的放电模式(HBM)
由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦,又与元器件接触,所以人体易带静电,也容易对元器件造成静电损伤。普遍认为大部分元器件静电损伤是由人体静电造成的。带静电的人体可以等效为图1.5的等效电路,这个等效电路又称人体静电放电模型(Human Body Model)。其中,Vp带静电的人体与地的电位差,Cp带静电的人体与地之间的电容量,一般为50-250pF;Rp人体与被放电体之间的电阻值,一般为102-105Ω
人体与被放电体之间的放电有两种。即接触放电和电弧放电。接触放电时人体与被放电之间的电阻值是个恒定值。电弧放电是在人体与被放电体之间有一定距离时,它们之间空间的电场强度大于其介质(如空气)的介电强度,介质电离产生电弧放电,暗场中可见弧光。电弧放电的特点是在放电的初始阶段,因为空气是不良导体,放电通道的阻抗较高,放电电
流较小;随着放电的进行,通道温度升高,引起局部电离,通道阻抗逐渐降低,电流增大,直至达到一个峰值;然后,随着人体静电能量的释放,电流逐渐减少,直至电弧消失.
2.带电机器的放电模式
机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。机器放电的模型(Machine Model)如图1.6所示。与人体模式相比,机器没有电阻,电容则相对要大。
3.充电器件的放电模型 (CDM)
在元器件装配、传递、试验、测试、运输和储存的过程中由于壳体与其它材料磨擦,壳体会带静电。一旦元器件引出腿接地时,壳体将通过芯体和引出腿对地放电。这种形式的放电可用所谓带电器件模型(Charged-Device Model,CDM)来描述。下面以双极型和MOS型半导体器件为例给出静电放电的等效电路。
双极型器件的CDM等效电路如图1.7(a)所示,Cd为器件与周围物体及地之间的电容,Ld为器件导电网络的等效电感,Rd为芯片上放电电流通路的等效电阻。串联着的Rd、Cd和Ld等效于带电器件。开关S合上表示器件与地的放电接触,接触电阻为Rc。
MOS器件的CDM等效电路如图1.7(b)所示。由于MOS器件各个管腿的放电时间长短相差很大,所以要用不同的放电通路来模拟,每条放电通路都用其等效电容、电阻和电感来表示。当开关S闭合而且有任一个管腿接地时,各通路存储的电荷将要放电。若在放电过程中,各个通路的放电特性不同,就会引起相互间的电势差。这一电势差也会造成器件的损坏,如栅介质击穿等。
器件放电等效电容Cd的大小和器件与周围物体之间的位置及取向有关,表1.7给出了双列直插封装器件在不同取向时的等效电容值,可见管壳的取向不同,电容可相差十几倍,因而其静电放电阈值可以有显着差别。
7. CDM项目为什么不存在了
你想问的问题是cdm模式失效的条件吗。
CDM失效模式已经逐渐成为一个突出的问题,原因在于:第一,随着芯片工艺的进步,工作速度加快了,但芯片也变得脆弱了。集成度的提高使得器件尺寸越来越小,器件之间的连线宽度越来越窄,钝化层越来越薄,这些因素都会时芯片对静电放电的敏感性也越大。一个不太高的电压就能将晶体管击穿,一个微小的ESD电流就能将连线熔断,使得半导体器件失效,增加科研成本;第二,通过测量CDM模式的静电放电波形,能够通过检查检测后的器件性能表现可以判断器件是否失效;第三,通过分析放电波形的峰值、周期等参数对半导体器件性能是否失效进行分析,从而提出避免器件失效的预防措施。因此,提出基于CDM模式可以手动操作的静电放电的测试系统及方法十分必要。
8. 静电等级管理中有,HBM CDM MM三种电压模式管理,具体指的是什么是指此物品碰到静电最大值吗
1、HBM:带电的人体的放电模式
由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦,又与元器件接触,所以人体易带静电,也容易对元器件造成静电损伤。普遍认为大部分元器件静电损伤是由人体静电造成的。带静电的人体可以等效为图1.5的等效电路,这个等效电路又称人体静电放电模型(Human Body Model)。
2、CMD:充电器件的放电模型
在元器件装配、传递、试验、测试、运输和储存的过程中由于壳体与其它材料磨擦,壳体会带静电。一旦元器件引出腿接地时,壳体将通过芯体和引出腿对地放电。这种形式的放电可用所谓带电器件模型(Charged-Device
Model,CDM)来描述。
3、MM:带电机器的放电模式
机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。
4、不是指此物品碰到静电最大值。
(8)静电放电cdm模式解决方法扩展阅读
静电放电一般有三种模式,HBM,MM和CDM。HBM一般是随机性的,只要做好产线人员的教育及静电防护措施的管理即可控制的很好。
同时器件对于HBM放电的防护水平通常也较高(≥2000V),而MM和CDM一般都在固定位置发生且容易反复出现,同时由于放电模式的特殊性,且防静电电路设计具有一定局限性,通常器件本身防CDM放电的能力较弱,是特别需要关注的对象。