igbt短路的原因及解决方法

⑴ 电磁炉总是烧IGBT怎么办

原因一：0.3uf/1200v谐振电容，5uf/400v滤波损坏或容量不足。
在电磁炉中，若0.3uf谐振电容，5uf滤波电容容量变小，失效或特性不良，将导致电磁炉LC振荡电路频率偏高，从而引起IGBT管的损坏，经查其他电路无异常时，我们必须将这两个电容一起更换。
原因二：IGBT管激励电路异常
振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT管饱和，导通，截止，必须通过激励电路脉冲信号放大来完成，如果激励电路出现问题，高电压就会加到IGBT管的G极，导致IGBT管瞬间击穿，常见为驱动管S8050,S8550连带损坏。
原因三：同步电路异常
同步电路在电磁炉的主要作用是保证加到IGBT管的G极上的开关脉冲前沿与IGBT管上的VCE脉冲后沿同步，当同步电路工作异常时，导致IGBT管瞬间击穿损坏。
原因四：18V工作电压异常
在电磁炉中，当18V工作电压异常时会使IGBT管激励电路，风扇散热系统及LM339工作异常，导致IGBT管上电瞬间损坏。
原因五：散热系统异常
电磁炉工作在大电流状态下，其发热量大，如果散热系统出现故障会导致IGBT管过热损坏。
原因六：单片机异常
单片机内部异常会因工作频率异常而烧毁IGBT管
原因七：VCE检测电路异常
VCE检测电路将IGBT管的集电极上的脉冲电压通过电阻分压，取样获得其取样电压，此电压变化的信息送人CPU，CPU监测该电压的变化，发出各种相应指令，当VCE检测电路异常时，VCE脉冲幅度值超过IGBT的极限值，从而导致IGBT 的损坏
原因八：用户锅具变形或锅底凹凸不平
在锅底产生的涡流不能均匀的使变形的锅具加热，从而锅底温度传感器检测失常，CPU因检测不到异常的温度而继续加热，导致了IGBT 的损坏。

⑵ 电磁炉IGBT传感器开路短路什么原因

igbt学名叫绝缘栅双极型晶体管
开路短路原因：一
元器件质量
二
过热
三
保护电路出问题

⑶ IGBT传感器开路如何修理

检测出某IGBT开路后，可以采用桥臂冗余、四开关等方式继续安全容错运行。

IGBT开路故障诊断方法主要有专家系统法、电流检测法和电压检测法三种。

专家系统法基于经验积累，将可能发生的故障一一列出，归纳出规律并建立知识库，当发生故障的时候只需要观测故障现象，查询知识库即可判断故障类型，难点在于难以穷尽所有的故障现象并得到完备的故障知识库，而有些故障模态往往与变频器正常运行时的某种状态时非常相似，造成了难以准确匹配故障。

电压检测法通过考察变频器故障时电机相电压、电机线电压或电机中性点电压与正常时的偏差来诊断故障。只需要四分之一基波周期便能检测出故障，大大缩短了诊断时间， 只是这种方法需要增加电压传感器， 通用性差。

电流检测法最为常用，其又派生出平均电流Park矢量法、单电流传感器法和电流斜率法等，平均电流Park矢量法以Coimbra大学的J.A.ACaseiro 教授发表的几篇文章为代表。

该方法在α-β 坐标系下进行，通过3-2变换得到Iα和Iβ，在一个电流周期内求其平均值，根据平均值求得平均电流Park矢量。

故障出现时Park矢量将不为零，通过判断其幅值和相位确定哪只IGBT出现故障。平均电流Park矢量法的缺点在于其对负载敏感， 负载不同情况下，Park矢量电流大小不同，会造成评价故障的标准不统一。电流矢量斜率法根据故障前后定子电流矢量轨迹斜率的不同来诊断故障，缺点在于该方法极易受到干扰而导致误判。

(3)igbt短路的原因及解决方法扩展阅读

一个理想的igbt驱动器应具有以下基本性能：

1、动态驱动能力强，能为igbt栅极提供具有陡峭前后沿的驱动脉冲。

2、能向igbt提供适当的正向栅压 。

3、能向igbt提供足够的反向栅压。

4、有足够的输入输出电隔离能力。

5、具有栅压限幅电路，保护栅极不被击穿。igbt栅极极限电压一般为 ±20v，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。

6、输入输出信号传输无延时。这一方面能够减少系统响应滞后，另一方面能提高保护的快速性。

7、电路简单，成本低。

8、igbt损坏时，驱动电路中的其它元件不会随之损坏。igbt烧毁时，集电极上的高电压往往会通过已被破坏的栅极窜入驱动电路，从而破坏其中的某些元件。

9、当igbt处于负载短路或过流状态时，能在 igbt允许时间内通过逐渐降低栅压自动抑制故障电流，实现igbt的软关断。其目的是避免快速关断故障电流造成过高的 di/ dt。

10、在出现短路、过流的情况下，能迅速发出过流保护信号，供控制电路进行处理。

⑷ LS变频器iGB丅短路什么意

IGBT短路，就是IGBT坏了，需要更换。IGBT就是变频器的逆变模块，是变频器中的重要组件。

一、IGBT

IGBT（），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。

变频器

二、IGBT好坏判断

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。

⑸ igbt中频炉常见故障

1．故障1 故障现象：启动时中频炉直流电流大，直流电压和中频电压 低，设备声音沉闷并启动过流保护。 分析处理：逆变桥有一桥臂的晶闸管可能短路或开路 造成逆变桥三臂桥运行。用示波器分别观察逆变桥的4个桥 臂上的晶闸管管压降波形，若有一桥臂上的晶闸管的管压 降波形为一线，该晶闸管已穿通；若为正弦波，该晶闸管 未导通，更换已穿晶闸管，并查找晶闸管未导通的原因。

2．故障2 故障现象：启动时直流电流大，直流电压低中频电压 不能正常建立。 分析处理：补偿电容短路。断开电容一查找短路电 容一更换短路电容。

3．故障3 故障现象：重载冷炉启动时，各电参数和声音都正常，但功率升不上去，过流保护。分析处理： (1)逆变换流角太小。用示波器观看逆变晶闸管的换流 角，把换流角调到合适值。 (2)炉体绝缘阻值低或短路。用兆欧表检测炉体阻值， 排除炉体的短路点。 (3)炉料钢铁相对感应圈阻值低。用兆欧表检测炉料相 对感应圈的阻值；若阻值低重新筑炉。

4．故障4 故障现象：中频炉设备正常运行一段时间后出现异常声音， 电表读数晃动设备工作不稳定。 分析处理：主要是至中频炉设备电气元器件的热特性不良所致， 可把设备的电气部分分为弱电和强电两部分，分别检测。 先检测控制部分，可预防损坏主电路功率器件，在不闭合 主电源开关的情况下，只接通控制部分的电源，待控制部 分工作一段时间后，用示波器检测控制板的触发脉冲，看 触发脉冲是否正常。在确认控制部分正常的前提下，启动 设备，不正常现象出现后，用示波器观察每只晶闸管的管 压降波形，找出热特性差的晶闸管；若晶闸管的管压降波 形都正常，这时就要注意其他电气元件是否有问题，如断 路器、电容器、电抗器、铜排接点和主变压器。

5．故障5 故障现象：设备工作正常但功率上不去。 原因分析：设备工作正常只能说明设备各部件完好， 若功率上不去，则说明中频炉设备各参数调整不合适。影响设备 功率的主要原因如下。 (1)整流部分没调好，整流管未完全导通，直流电压没 达到额定值影响功率输出。 (2)中频电压值调得过高或过低影响功率输出。 (3)截流截压值调节不当使得功率输出低。 (4)炉体与电源不配套严重影响功率输出。(5)补偿电容器配置得过多或过少都得不到电效率和热 效率最佳的功率输出，即得不到最佳的经济功率输出。 (6)输出回路的分布电感和谐振回路的附加电感过大， 影响最大功率输出。

6．故障6 故障现象：中频炉设备运行正常但在某功率段升降功率时， 设备出现异常声音抖动，电气仪表指示摆动。 原因分析：这种故障一般发生在功率给定电位器上， 功率给定电位器某段不平滑跳动，造成设备工作不稳定， 严重时造成逆变颠覆，烧毁晶闸管。

7．故障7 故障现象：中频炉设备运行正常但旁路电抗器发热烧毁。 原因分析：造成旁路电抗器发热烧毁的主要原因如下。 (1)旁路电抗器自身质量不好。 (2)逆变电路存在不对称运行，其主要原因来源于信号 回路。

8．故障8 故障现象：中频炉设备运行正常，经常击穿补偿电容。 原因分析：故障原因如下。 (1)中频电压和工作频率过高。 (2)电容配置不够。 (3)在电容升压电路中，串联电容与并联电容的容量相 差太大，造成电压不均击穿电容。

9．故障9 故障现象：中频炉设备运行正常但频繁过流。 原因分析：设备运行时各电参数波形声音都正常，但 频繁过流。当出现这样的故障时要注意，是否是由于布线 不当产生电磁干扰和线间寄生参数耦合干扰，如强电线与 弱电线布在一起，工频线与中频线布在一起，信号线与强 电线、中频线汇流排交织在一起等。
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⑹ IGBT损坏的原因主要有哪几个

咨询记录 · 回答于2021-05-28

⑺ 是什么原因造成IGBT击穿短路

集电极与发射极之间的电压高于最高工作就会击穿。通常由IGBT从闭合(close)到打开(open)过程中电流突然下降造成的尖峰电压(voltage spike)所导致，因为在IGBT以及电路中会有不可避免的感性阻抗。

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

(7)igbt短路的原因及解决方法扩展阅读：

一、IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。

二、若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。