硅的检测方法

❶ 可控硅怎么检查好坏

一、单向可控硅工作原理

可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。

二、单向可控硅的引脚区分

对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。

三、单向可控硅的性能检测

可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

四、可控硅的使用注意事项

选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。

1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。

3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。

4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。

5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

❷ 硅的测定方法

无机硅是水中最复杂的无机物之一，以胶体硅与溶解硅（又称活性硅）等形态存在，且各种形态的硅在不同pH值条件下可相互转化。
在水中以离子形态或单分子态存在的硅酸化合物称为溶解硅，在水中以多分子聚集态存在的硅酸化合物因具有胶体的某些性质而被称为胶体硅。
全硅是指水中以各种形式存在的硅酸化合物的总和，即胶体硅与溶解硅之和。
硅酸化合物在水中的形态与其自身含量、pH值、温度以及其他离子的含量有关。硅酸含量过高时，其将以胶态形式析出；水体pH值越高，硅酸的溶解度越高。高pH值条件下，如水中Ca2+或Mg2+含量很低（软水），则硅酸呈真溶液状态即以HSiO3-形式存在；如水中Ca2+或Mg2+含量较高（硬水），则容易形成胶溶状态的钙镁硅酸盐。

❸ 白刚玉砂的硅含量如何检测

白刚玉产品颜色为白色，较棕刚玉硬而脆，切削力较强，化学稳定性好，具有很好的绝缘性,适用于一些高级的抛光、耐火材料以及各种高端产品，工艺或者五金等产品表面美化处理，喷砂后表面洁白无任何杂质，免去清洗烦恼。

白刚玉砂是碳化硅的一种，它主要以1200#和1500#为主，在磨料行业中的使用非常的广泛，白刚玉中硅的含量对于碳化硅的硬度起着决定性的作用。

白刚玉砂的硅含量检测方法：

白刚玉中硅的含量决定碳化硅的硬度，白刚玉的粒径大小对线切割影响很大，但最重要的是白刚玉的颗粒形状。因为线切割时白刚玉为游离状态切割，颗粒的形状变化对切割效率及切割质量要重要影响。

检测办法：硅的含量需要原子吸收检测(检测效率高，数值较精确。碳化硅粒径需要电阻法颗粒分析仪效率高。碳化硅粒型检测需要颗粒分析仪，可以分析颗粒形状系数、圆度、较准确)

❹ 硅含量的测试

我在做化学基础分析遇见的难点，现在就把我自己的体会在这里和大家说下。我做的主要是铁合金。其中我发现硅铝合金中的硅很难快速测定。用有的方法在实际生产中测定有很大的出入。不同的单位。得到的数值可能相差2%。真的很夸张。这也说明了。该合金的硅的测定比较有难度的。由于现在的国标严重的落后于生产。我了解测硅目前2个比较可行的手段进行测定，一个是2次发烟。一个是硅氟酸钾。仪器方面不是很清楚。希望大家指出。
下面我就2个方法做一个简单的介绍要点：
高氯酸发烟：可能认为该方法很简单。的确，原理很简单。对不同的式样它的难易有很大的出别。特别是铁合金。是比较难的问题。问题的原因是铁合金相比较其他式样，对硅元素它需要碱融，难就难在这里。这需要技术人员要有很强的操作能力。国标上说的很简单，在实际操作中大家要注意自己的操作，一定要保证式样的溶解完全，只有做到这点，你离成功才近。其他的步骤不难，只是你要注意，如果你是用回收残渣进行处理，高氯酸一定要洗尽。要不会爆炸的哦。原因我想大家都知道，所以大家一定不要急。该做到还是要做到位。万一飞了那再来3天可就够你郁闷的。当然锅的衡重也是要大家注意的。对该方法，我说的不多，就是要多注意，小心。不要急。溶解式样一定要多补加盐酸，要是按国标盐酸数量，那就是一团黑忽忽的。够你郁闷的了。重在自己对方法的理解。知道什么是影响测定的关键因素，什么是可以忽略的因素。
下面我重点讲下硅氟酸钾法。该方法到现在没有立为国标，可是在实际中大家都会用到它。因为速度和准确度还是有相当的保证的。只是现在对过滤的那一步有的单位条件不好，对此方法进行了放弃或不采用。其实该方法在铁合金快速测定硅有很强的生产意义。我自己经过一段摸索和对比，我把自己的心得告诉大家，希望大家能把自己的经验也说出来，共同探讨。
由于称量不是很大。一定要准。
式样的粒度 一定要有保障。越小对实验的影响越小。
式样一般采取硝酸钾和氢氧化钾溶解。我采用的比例是1：2
式样最好在低温多时间培烘。一般我采用40分钟以上。
式样在煤气上的加热是该方法的一个难点。不同的时间，火的大小对该方法的最终数据有很直接的关系。我的建议是不要太高的温度多时间。一般我是锅底红了10MIN。时间太长。浸取的难度会很大。特别有的时候会有不可以看见的残渣。建议在加酸后水浴上在加热5分钟。这一步骤时间的控制要一致。
后面的步骤注意钾盐不要过多。要不中和的时候会返的很严重。还有沉淀体积的控制尽量一致。也就是说你浸取的时候要控制相当。不知道有的人现在还加没有加纸浆沉淀那一步。个人强烈建议完全没有必要，我在第一次做的时候就发现加纸浆对数据有很大影响，我一个一个排除原因，最后发现是它的问题。后来我忽略它。对不同的标样进行测定。完全达到要求。效果很好。
还有最后一点注意。可能会有的时候出现破坏指示剂现象，记得一定要补加。中和和测定的终点要看颜色一致。呵呵，哪怕你就是很小心的做到上面的这些。你得到的数据有的时候还是不好。为什么呢。我个人认为AL的干扰程度不可以完全控制。我们只可以做到减小它的影响。
这个方法步骤是一个快速测定的步骤。如果要很准确的。那还是发烟吧。不过。如果你熟悉了这个，误差控制还是相当的。没有那么的离谱的。
以上就是我的一点体会，我就做硅。其他式样还好，就它调皮不好做。请大家来给我指出我的不足。错字多，请包涵。这是我自己写的第一个体会。不知道效果怎么样，欢迎大家讨论。我是做化学分析的。手动。郁闷啊。

❺ 硅元素用什么方法检测

硅元素用什么方法检测
硅 是比较常见而且容易检出的元素,最常用的是化学分析法,给你的结果是SiO2你算一下就知道硅有多少了 .如果你是做化学分析的,能检测的每个元素都有对应的方法和规程的,你自己查一下.

❻ 怎样检测硅铁的硅含量

检测硅铁的硅含量最简单的方法是：重量法测定硅铁中硅含量。
在重量法测定硅含量中，又具体分为三种方法，即：
1、 高氯酸脱水重量法测定硅量；
2、 盐酸脱水重量法测定硅量；
3、 挥硅减量重量法。
硅铁的硅含量的测定方法有多种。用以测定硅铁合金中硅测定的化学分析方法主要有重量法和氟硅酸钾容量法。现代仪器分析中，用以准确测定硅铁中硅的含量的仪器有X－荧光光度仪和能谱仪。电感耦合等离子光度分析仪也可用以间接测得硅的含量。

❼ 怎样检测有机硅

1. 界面红外反射光谱分析，确认其是否有相应特征峰，如波数在1000~1100cm-1之间的Si-O-Si键吸收峰；

2. 固体核磁谱，样品碎屑做固体核磁扫描，看有没有硅烷基峰；

3. 元素分析，查硅含量；

4. 最简单的定性试验：燃烧法。有机硅燃烧后产生白色余烬和白烟，有别于其它有机高分子。

❽ 如何测量可控硅的好坏

1. 单向可控硅的检测：

万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

2. 双向可控硅的检测：

用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

(8)硅的检测方法扩展阅读：

可控硅的主要参数有：

1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5、 维持电流IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

参考资料：网络-可控硅

❾ 怎样检测可控硅模块

1、单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
2、双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
晶闸管管脚的判别可用下述方法：
先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。

❿ 如何检测可控硅的好坏

1.
单向可控硅的检测。
万用表选电阻r*1ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极g，红表笔的引脚为阴极k，另一空脚为阳极a。此时将黑表笔接已判断了的阳极a，红表笔仍接阴极k。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极a和控制极g，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极a接黑表笔，阴极k接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
2.
双向可控硅的检测。
用万用表电阻r*1ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极a1和控制极g，另一空脚即为第二阳极a2。确定a1、g极后，再仔细测量a1、g极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极a1，红表笔所接引脚为控制极g。将黑表笔接已确定的第二阳极a2，红表笔接第一阳极a1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将a2、g极瞬间短接，给g极加上正向触发电压，a2、a1间阻值约10欧姆左右。随后断开a2、g间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极a2，黑表笔接第一阳极a1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将a2、g极间再次瞬间短接，给g极加上负的触发电压，a1、a2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开a2、g极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5v干电池，以提高触发电压。
晶闸管(可控硅)的管脚判别
晶闸管管脚的判别可用下述方法：
先用万用表r*1k挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于r*10k挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。