igbt短路的原因及解決方法

⑴ 電磁爐總是燒IGBT怎麼辦

原因一：0.3uf/1200v諧振電容，5uf/400v濾波損壞或容量不足。
在電磁爐中，若0.3uf諧振電容，5uf濾波電容容量變小，失效或特性不良，將導致電磁爐LC振盪電路頻率偏高，從而引起IGBT管的損壞，經查其他電路無異常時，我們必須將這兩個電容一起更換。
原因二：IGBT管激勵電路異常
振盪電路輸出的脈沖信號不能直接控制IGBT管飽和，導通，截止，必須通過激勵電路脈沖信號放大來完成，如果激勵電路出現問題，高電壓就會加到IGBT管的G極，導致IGBT管瞬間擊穿，常見為驅動管S8050,S8550連帶損壞。
原因三：同步電路異常
同步電路在電磁爐的主要作用是保證加到IGBT管的G極上的開關脈沖前沿與IGBT管上的VCE脈沖後沿同步，當同步電路工作異常時，導致IGBT管瞬間擊穿損壞。
原因四：18V工作電壓異常
在電磁爐中，當18V工作電壓異常時會使IGBT管激勵電路，風扇散熱系統及LM339工作異常，導致IGBT管上電瞬間損壞。
原因五：散熱系統異常
電磁爐工作在大電流狀態下，其發熱量大，如果散熱系統出現故障會導致IGBT管過熱損壞。
原因六：單片機異常
單片機內部異常會因工作頻率異常而燒毀IGBT管
原因七：VCE檢測電路異常
VCE檢測電路將IGBT管的集電極上的脈沖電壓通過電阻分壓，取樣獲得其取樣電壓，此電壓變化的信息送人CPU，CPU監測該電壓的變化，發出各種相應指令，當VCE檢測電路異常時，VCE脈沖幅度值超過IGBT的極限值，從而導致IGBT 的損壞
原因八：用戶鍋具變形或鍋底凹凸不平
在鍋底產生的渦流不能均勻的使變形的鍋具加熱，從而鍋底溫度感測器檢測失常，CPU因檢測不到異常的溫度而繼續加熱，導致了IGBT 的損壞。

⑵ 電磁爐IGBT感測器開路短路什麼原因

igbt學名叫絕緣柵雙極型晶體管
開路短路原因：一
元器件質量
二
過熱
三
保護電路出問題

⑶ IGBT感測器開路如何修理

檢測出某IGBT開路後，可以採用橋臂冗餘、四開關等方式繼續安全容錯運行。

IGBT開路故障診斷方法主要有專家系統法、電流檢測法和電壓檢測法三種。

專家系統法基於經驗積累，將可能發生的故障一一列出，歸納出規律並建立知識庫，當發生故障的時候只需要觀測故障現象，查詢知識庫即可判斷故障類型，難點在於難以窮盡所有的故障現象並得到完備的故障知識庫，而有些故障模態往往與變頻器正常運行時的某種狀態時非常相似，造成了難以准確匹配故障。

電壓檢測法通過考察變頻器故障時電機相電壓、電機線電壓或電機中性點電壓與正常時的偏差來診斷故障。只需要四分之一基波周期便能檢測出故障，大大縮短了診斷時間， 只是這種方法需要增加電壓感測器， 通用性差。

電流檢測法最為常用，其又派生出平均電流Park矢量法、單電流感測器法和電流斜率法等，平均電流Park矢量法以Coimbra大學的J.A.ACaseiro 教授發表的幾篇文章為代表。

該方法在α-β 坐標系下進行，通過3-2變換得到Iα和Iβ，在一個電流周期內求其平均值，根據平均值求得平均電流Park矢量。

故障出現時Park矢量將不為零，通過判斷其幅值和相位確定哪只IGBT出現故障。平均電流Park矢量法的缺點在於其對負載敏感， 負載不同情況下，Park矢量電流大小不同，會造成評價故障的標准不統一。電流矢量斜率法根據故障前後定子電流矢量軌跡斜率的不同來診斷故障，缺點在於該方法極易受到干擾而導致誤判。

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一個理想的igbt驅動器應具有以下基本性能：

1、動態驅動能力強，能為igbt柵極提供具有陡峭前後沿的驅動脈沖。

2、能向igbt提供適當的正向柵壓 。

3、能向igbt提供足夠的反向柵壓。

4、有足夠的輸入輸出電隔離能力。

5、具有柵壓限幅電路，保護柵極不被擊穿。igbt柵極極限電壓一般為 ±20v，驅動信號超出此范圍就可能破壞柵極。

6、輸入輸出信號傳輸無延時。這一方面能夠減少系統響應滯後，另一方面能提高保護的快速性。

7、電路簡單，成本低。

8、igbt損壞時，驅動電路中的其它元件不會隨之損壞。igbt燒毀時，集電極上的高電壓往往會通過已被破壞的柵極竄入驅動電路，從而破壞其中的某些元件。

9、當igbt處於負載短路或過流狀態時，能在 igbt允許時間內通過逐漸降低柵壓自動抑制故障電流，實現igbt的軟關斷。其目的是避免快速關斷故障電流造成過高的 di/ dt。

10、在出現短路、過流的情況下，能迅速發出過流保護信號，供控制電路進行處理。

⑷ LS變頻器iGB丅短路什麼意

IGBT短路，就是IGBT壞了，需要更換。IGBT就是變頻器的逆變模塊，是變頻器中的重要組件。

一、IGBT

IGBT（），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管晶元）與FWD（續流二極體晶元）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝後的IGBT模塊直接應用於變頻器、UPS不間斷電源等設備上。

變頻器

二、IGBT好壞判斷

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發射極(E)，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極(G)和發射極(E)，這時IGBT 被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。

⑸ igbt中頻爐常見故障

1．故障1 故障現象：啟動時中頻爐直流電流大，直流電壓和中頻電壓 低，設備聲音沉悶並啟動過流保護。 分析處理：逆變橋有一橋臂的晶閘管可能短路或開路 造成逆變橋三臂橋運行。用示波器分別觀察逆變橋的4個橋 臂上的晶閘管管壓降波形，若有一橋臂上的晶閘管的管壓 降波形為一線，該晶閘管已穿通；若為正弦波，該晶閘管 未導通，更換已穿晶閘管，並查找晶閘管未導通的原因。

2．故障2 故障現象：啟動時直流電流大，直流電壓低中頻電壓 不能正常建立。 分析處理：補償電容短路。斷開電容一查找短路電 容一更換短路電容。

3．故障3 故障現象：重載冷爐啟動時，各電參數和聲音都正常，但功率升不上去，過流保護。分析處理： (1)逆變換流角太小。用示波器觀看逆變晶閘管的換流 角，把換流角調到合適值。 (2)爐體絕緣阻值低或短路。用兆歐表檢測爐體阻值， 排除爐體的短路點。 (3)爐料鋼鐵相對感應圈阻值低。用兆歐表檢測爐料相 對感應圈的阻值；若阻值低重新築爐。

4．故障4 故障現象：中頻爐設備正常運行一段時間後出現異常聲音， 電表讀數晃動設備工作不穩定。 分析處理：主要是至中頻爐設備電氣元器件的熱特性不良所致， 可把設備的電氣部分分為弱電和強電兩部分，分別檢測。 先檢測控制部分，可預防損壞主電路功率器件，在不閉合 主電源開關的情況下，只接通控制部分的電源，待控制部 分工作一段時間後，用示波器檢測控制板的觸發脈沖，看 觸發脈沖是否正常。在確認控制部分正常的前提下，啟動 設備，不正常現象出現後，用示波器觀察每隻晶閘管的管 壓降波形，找出熱特性差的晶閘管；若晶閘管的管壓降波 形都正常，這時就要注意其他電氣元件是否有問題，如斷 路器、電容器、電抗器、銅排接點和主變壓器。

5．故障5 故障現象：設備工作正常但功率上不去。 原因分析：設備工作正常只能說明設備各部件完好， 若功率上不去，則說明中頻爐設備各參數調整不合適。影響設備 功率的主要原因如下。 (1)整流部分沒調好，整流管未完全導通，直流電壓沒 達到額定值影響功率輸出。 (2)中頻電壓值調得過高或過低影響功率輸出。 (3)截流截壓值調節不當使得功率輸出低。 (4)爐體與電源不配套嚴重影響功率輸出。(5)補償電容器配置得過多或過少都得不到電效率和熱 效率最佳的功率輸出，即得不到最佳的經濟功率輸出。 (6)輸出迴路的分布電感和諧振迴路的附加電感過大， 影響最大功率輸出。

6．故障6 故障現象：中頻爐設備運行正常但在某功率段升降功率時， 設備出現異常聲音抖動，電氣儀表指示擺動。 原因分析：這種故障一般發生在功率給定電位器上， 功率給定電位器某段不平滑跳動，造成設備工作不穩定， 嚴重時造成逆變顛覆，燒毀晶閘管。

7．故障7 故障現象：中頻爐設備運行正常但旁路電抗器發熱燒毀。 原因分析：造成旁路電抗器發熱燒毀的主要原因如下。 (1)旁路電抗器自身質量不好。 (2)逆變電路存在不對稱運行，其主要原因來源於信號 迴路。

8．故障8 故障現象：中頻爐設備運行正常，經常擊穿補償電容。 原因分析：故障原因如下。 (1)中頻電壓和工作頻率過高。 (2)電容配置不夠。 (3)在電容升壓電路中，串聯電容與並聯電容的容量相 差太大，造成電壓不均擊穿電容。

9．故障9 故障現象：中頻爐設備運行正常但頻繁過流。 原因分析：設備運行時各電參數波形聲音都正常，但 頻繁過流。當出現這樣的故障時要注意，是否是由於布線 不當產生電磁干擾和線間寄生參數耦合干擾，如強電線與 弱電線布在一起，工頻線與中頻線布在一起，信號線與強 電線、中頻線匯流排交織在一起等。
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⑹ IGBT損壞的原因主要有哪幾個

咨詢記錄 · 回答於2021-05-28

⑺ 是什麼原因造成IGBT擊穿短路

集電極與發射極之間的電壓高於最高工作就會擊穿。通常由IGBT從閉合(close)到打開(open)過程中電流突然下降造成的尖峰電壓(voltage spike)所導致，因為在IGBT以及電路中會有不可避免的感性阻抗。

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

(7)igbt短路的原因及解決方法擴展閱讀：

一、IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由於實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特徵，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。

雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。

二、若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。