1. G80N60場效應管的工作原理及參數
80N60C 只要耐壓到600V ID80A的場效應管子都可以。
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^7～10^12Ω）、雜訊小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。盡管由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性晶體管比場效應晶體管容易製造，場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效逗歲世應晶體管的雀轎概念卻比雙山肢極性晶體管早。
2. 場效應管G80N60的代替型號是哪些
80N60C 只要耐壓到600V ID80A的場效應管子都可以。
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也逗歲世稱為單極雀轎型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^7～10^12Ω）、雜訊小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。盡管由於半導體材料的限制，以及曾經雙山肢極性晶體管比場效應晶體管容易製造，場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。