单晶硅片切片方法有哪些

❶ 制造单晶硅片有毒么

单晶硅片制造工艺分为，将多晶硅料通过直拉CZ或区熔FZ方法制造成单晶硅棒，硅单晶棒经过切片，磨削，抛光清洗成单晶硅片。其中单晶拉制过程一般会掺杂B，P，Ga，As等元素，以制造出P型或N型单晶硅棒，这些掺杂元素大多都是剧毒。拉直成单晶后拆炉需要排风，就是害怕吸入那些元素挥发物。切片和磨片基本不接触剧毒物质，但抛光和清洗涉及到HCL酸，HF酸和氨水，这些都是有毒物质。长期接触氨水还会有秃顶现象。一般需要有上岗安全培训证书才允许操作。还有个很有趣的事情，就是单晶部门的男人结婚以后都生儿子，而抛光清洗部门的都是女儿。也许是几率把。

❷ 单晶硅的生产工艺流程

单晶硅生产工艺流程:

1、石头加工

开始是石头，(石头都含硅)，把石头加热，变成液态，在加热变成气态，把气体通过一个密封的大箱了，箱子里有N多的子晶加热，两头用石墨夹住的，气休通过这个箱子，子晶会把气体中的一种吸符到子晶上，子晶慢慢就变粗了，因为是有体变固休，所以很慢，一个月左右，箱子里有就很多长长的原生多品硅。

2、酸洗

当然，还有很多的废气啊什么的，(四氯化硅)就是生产过程中产生的吧，好像现在还不能很好处理这东西，废话不多说，原生多晶有了，就开始酸洗，氢气酸啊硝酸啊，乙酸啊什么的把原生多晶外面的东西洗干净了，就过烘房烘干，无尘检查打包。

3、拉晶

送到拉晶，拉晶就是用拉晶炉把多晶硅加热融化，在用子晶向上拉引，工人先把多晶硅放进石英锅里，(厂里为了减少成本，也会用一些洗好的电池片，碎硅片一起融)关上炉子加热，石英锅的融点1700度，硅的融点才1410度左右，融化了硅以后石英锅慢慢转起来，子晶从上面下降，点到锅的中心液面点，也慢慢反方向转，锅下面同时在电加热，液面上加冷，子晶点到液面上就会出现一个光点，慢慢旋转，向上拉引，放肩，转肩，正常拉棒，收尾，一天半左右，一个单晶棒就出来了。

4、切方

单晶棒有了就切方，单晶棒一般是做6英寸的，P型，电阻率0.5-6欧姆(一英寸等于2.4厘米左右)切掉棒子四边，做成有倒角的正方形，在切片，0.22毫米一片吧。

拓展资料

硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。

单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。

在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。北京2008年奥运会将把“绿色奥运”做为重要展示面向全世界展现，单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻 。

❸ 单晶硅太阳能电池片和多晶硅太阳能电池片的区别

多晶硅(p-Si)
熔融硅在顺控条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
结晶后的多晶硅经开方、倒角、切片等一系列的工艺加工后的成品硅片即为多晶硅片
多晶硅片的表观为深蓝色的方片
单晶硅(c-Si)
以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种（籽晶）上结晶而成由于其晶体的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齐排列所以称为单晶硅。
单晶硅棒经截断、取方、切片后得到的成品硅片即为单晶硅片
单晶硅片表观为金属灰色的准方片
单晶硅电池光电转换率较高可,但价格较高。多晶硅电池价格相对较低转换效率也相对低些。但多晶硅片的产量、规模较单晶硅易扩大。

❹ P型单晶硅生产的具体操作流程

1：生产流程是 ：晶棒切割-晶柱成型-R角表面处理-粗洗，干燥-等这些流程都是有设备完成的，而且也是主要流程。
还有剩下的流程就是 ：粘附固定-硅片插入盒里，硅片检测-硅片包装等等。不过这些剩下的流程在工厂里技术人员们都不带手套去完成。
2：铸锭做成硅片流程也和上述几乎差不多。不过铸锭不是单晶硅，是多晶硅。
3：我的公司和这方面有联系，所以本人也接触过不少关于这方面。
总结的话，我本人所在工厂里和公司里接触的经验认为对人体没有多大的伤害，
要是简单比喻就是我们在日常生活里在地面上接触的《石头》一样。这样认为就最简单了。平时自己怎么接触灰尘和石头的话，那就怎样接触单晶硅生产流程和铸锭它们就可以了。
补充的是前面朋友所说的：1.原料分选或者清洗车间的话,就要注意各种硅粉渣入口或吸入肺中,以及酸碱等危险品的腐蚀---2.工厂中工作都需要秉持严谨态度认真对待,按流程操作 ------注意这两点就可以了。

❺ 单晶硅片为什么要倒角多晶硅片呢

单晶硅片倒角是为了充分利用硅棒，单晶多晶都有倒角。

单晶一般都为大倒角，是有单晶的工艺决定。单晶是有硅棒切割出来的，为了充分利用硅棒，才会出现大的倒角；而多晶一般为小倒角，是为了减少由于硅片边缘的裂纹，在外界应力的作用下使硅片或者电池片破裂。

多晶电池片也会出现大的倒角，那些一般都是小倒角的电池片，发现存在问题后有切成大倒角的。

单晶硅片用途：

区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。 是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。

单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路用硅。

直拉单晶硅产品，可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。

❻ 硅棒\硅片加工生产

目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。 目前国内主要采用CZ法 CZ法主要设备：CZ生长炉 CZ法生长炉的组成元件可分成四部分 （1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁 （2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件 （3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀 （4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统 加工工艺： 加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长 （1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 （2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。 （3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。 （4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 （5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。 （6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。 单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片 加工流程： 单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片 倒角→研磨 腐蚀--抛光→清洗→包装 切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。 切断的设备：内园切割机或外园切割机 切断用主要进口材料：刀片 外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。 外径滚磨的设备：磨床 平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。 处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。 切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。 切片的设备：内园切割机或线切割机 倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。 倒角的主要设备：倒角机 研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。 研磨的设备：研磨机（双面研磨） 主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。 腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。 腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。 （B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。 抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。 抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。 抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um； 精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。 清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。 清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL （3）损耗产生的原因 A.多晶硅--单晶硅棒 多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。 重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的N或P型）放入石英坩埚内溶化而成的料。 重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。 损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。 单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。 单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10％-13％。 希望能对你有帮助!

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太阳能电池的结构工作原理和制造技术

近几年来，受世界太阳能电池发展“热潮”的影响，我国太阳能电池产业发展空前高涨，本文收集了太阳能电池的一些有关技术，以供读者参考。

（一）太阳能电池的发展历史：

太阳能电池是产生光生伏打效应（简称光伏效应）的半导体器件。因此，太阳能电池又称为光伏电池，太阳能电池产业又称为光伏产业。

1954年世界第一块实用化太阳能电池在美国贝尔实验室问世，幷首先应用于空间技术。当时太阳能电池的转换效率为8％。1973年世界爆发石油危机，从此之后，人们普遍对于太阳能电池关注，近10几年来，随着世界能源短缺和环境污染等问题日趋严重，太阳能电池的清洁性、安全性、长寿命，免维护以及资源可再生性等优点更加显现。一些发达国家制定了一系列鼓舞光伏发电的优惠政策，幷实施庞大的光伏工程计划，为太阳能电池产业创造了良好的发展机遇和巨大的市场空间，太阳能电池产业进入了高速发展时期，幷带动了上游多晶硅材料业和下游太阳能电池设备业的发展。在1997－2006年的10年中，世界光伏产业扩大了20倍，今后10年世界光伏产业仍以每年30％以上的增长速度发展。

世界太阳能电池的发展历史如表1所示：

表1世界太阳能电池发展的主要节点

年份重要节点

1954美国贝尔实验室发明单晶硅太阳能电池，效率为6％

1955第一个光伏航标灯问世，美国RCA发明GaAs太阳能电池

1958太阳能电池首次装备于美国先锋1号卫星，转换效率为8％。

1959第一个单晶硅太阳能电池问世。

1960太阳能电池首次实现并网运行。

1974突破反射绒面技术，硅太阳能电池效率达到18％。

1975非晶硅及带硅太阳能电池问世

1978美国建成100KW光伏电站

1980单晶硅太阳能电池效率达到20％，多晶硅为14.5％，GaAs为22.5％

1986美国建成6.5KW光伏电站

1990德国提出“2000光伏屋顶计划”

1995高效聚光GaAs太阳能电池问世，效率达32％。

1997美国提出“克林顿总统百万太阳能屋顶计划

日本提出“新阳光计划”

1998单晶硅太阳能电池效率达到24.7％，荷兰提出“百万光伏屋顶计划”

2000世界太阳能电池总产量达287MW，欧洲计划2010年生产60亿瓦光伏电池。

（二）、太阳能电池的种类

（三）、硅太阳能电池的结构及工作原理

硅太阳能电池的外形及基本结构如图1。基本材料为P型单晶硅，厚度为0.3—0.5mm左右。上表面为N+型区，构成一个PN＋结。顶区表面有栅状金属电极，硅片背面为金属底电极。上下电极分别与N＋区和P区形成欧姆接触，整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。

当入发射光照在电池表面时，光子穿过减反射膜进入硅中，能量大于硅禁带宽度的光子在N+区，PN＋结空间电荷区和P区中激发出光生电子——空穴对。各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区，就对发光电压作出贡献。光生电子留于N＋区，光生空穴留于P区，在PN＋结的两侧形成正负电荷的积累，产生光生电压，此为光生伏打效应。当光伏电池两端接一负载后，光电池就从P区经负载流至N＋区，负载中就有功率输出。

太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光（或紫外光）敏感，约占总光源电流的5－10％（随N＋区厚度而变），PN＋结空间电荷的光生电流对可见光敏感，约占5％左右。电池基体区域产生的光电流对红外光敏感，占80－90％，是光生电流的主要组成部分。

（四）、太阳能电池的制造技术

晶体硅太阳能电池的制造工艺流程如图2。提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。

1、具体的制造工艺技术说明如下：

（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。

（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。

（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。

（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。

（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。

（6）去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。

（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。

（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2，SiO2，Al2O3，SiO，Si3N4，TiO2，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。

（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。

（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。

由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求，这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。

（五）、太阳能电池的芯片尺寸：

规模化生产太阳能电池的芯片尺寸分别为（103×103）mm2、（125×125）mm2、（156×156）mm2和（210×210）mm2的方片。目前的主流仍是（156×156）mm2，2007年将过渡到（210×210）mm2为主流芯片。最近德国已推出了代表国际最先进的（210×210）mm2硅片全自动生产设备。

芯片的厚度也愈来愈薄，从→300→270→240→210→180um，目前晶体硅片主要使用厚度为210—240um。

（六）、太阳能电池的芯片材料及转换效率：

1、晶体硅（单晶硅和多晶硅）太阳能电池：

2004年晶体硅太阳能电池占总量的84.6％，生产技术成熟，是光伏产业的主导产品。在光伏产业中占据着统治地位。

对于高效单晶硅太阳能电池，国际公认澳大利亚新南威尔士大学达到了最高转换效率为24.7％，目前世界技术先进产品转换效率为19－20％。对于多晶硅太阳能电池澳大利亚新南威尔士大学多晶硅电池效率已突破19.8％，技术先进产品的效率为15－18％。

2、非晶体硅太阳能电池：

α－Si（非晶硅）太阳能电池一般采用高频辉光使硅烷分解沉积而成。由于分解温度低（250－5000C），可在薄玻璃、陶瓷、不锈钢和塑料底片上沉积1um厚的薄膜，且易于大面积化。非晶硅太阳能电池多数采用PIN结构，有时还制成多层叠层式结构。

非晶硅太阳能电池大量生产的大面积产品的转换效率为10－12％，小面积产品转换效率已提高到14.6％，叠层结构电池的最高效率为21％。

3、砷化镓（GaAs）太阳能电池：

GaAs太阳能电池多数采用液相外延法或MOCVD技术制备，GaAs太阳能电池的效率可高达29.5％，一般在19.5％左右。产品具有耐高温和抗辐射特点，但生产成本较高，产量受限，主要用作空间电源。以硅片为衬底，拥MOCVD方法制造GaAs/Si异质结太阳能电池是降低成本很有希望的方法，最高效率23.3％，GaAs叠层结构的太阳能电池效率接近40％。

4、其他化合物半导体太阳能电池：

这方面主要有CIS（铜铟硒）薄膜、CdTe(碲化镉)薄膜和InP(磷化铟)太阳能电池等。这些太阳能电池的结构与非晶硅电池相似。但CIS薄膜一般厚度为2－3um，已达到的转换效率为17.7％。CdTe薄膜很适合于制作太阳能电池。其理论转换效率达30％，目前国际先进水平转换效率为15.8％，多用于空间方面。2004年世界各种太阳能电池产量的种类分布如表2

表22004年世界各种太阳能电池产量的种类分布

序号太阳能电池种类总产量（MW）百分比（％）

1单晶硅平板电池314.428.6

2多晶硅平板电池669.256.0

3非晶硅（室内室外）47.13.9

4带硅电池41..03.4

5CdTea（碲化镉）电池13.01.1

6CIS(铜铟硒)3.00.25

7非晶硅/单晶硅电池80.06.7

总量1195.2100

（七）、提高太阳能电池效率的特殊技术：

晶体硅太阳能电池的理论效率为25％（AMO1.0光谱条件下）。太阳能电池的理论效率与入射光能转变成电流之前的各种可能损耗的因素有关。其中，有些因素由太阳能电池的基本物理决定的，有些则与材料和工艺相关。从提高太阳能电池效率的原理上讲，应从以下几方面着手：

1、减少太阳能电池薄膜光反射的损失

2、降低PN结的正向电池（俗称太阳能电池暗电流）

3、PN结的空间电荷区宽度减少，幷减少空间电荷区的复合中心。

4、提高硅晶体中少数载流子寿命，即减少重金属杂质含量和其他可作为复合中心的杂质，晶体结构缺陷等。

5、当采取太阳能电池硅晶体各区厚度和其他结构参数。

目前提高太阳能电池效率的主要措施如下，而各项措施的采用往往引导出相应的新的工艺技术。

（1）选择长载流子寿命的高性能衬底硅晶体。

（2）太阳能电池芯片表面制造绒面或倒金字塔多坑表面结构。电池芯片背面制作背面镜，以降低表面反射和构成良好的隔光机制。

（3）合理设计发射结结构，以收集尽可能多的光生载流子。

（4）采用高性能表面钝化膜，以降低表面复合速率。

（5）采用深结结构，幷在金属接触处加强钝化。

（6）合理的电极接触设计以达到低串联电阻等。

（八）、太阳能电池的产业链

（九）、上海太阳能电池产业概况：

上海对于光电转换器件的研究起步于1959年。当时在中科院技术物理研究所和上海科技大学等单位作为光电探测器件课题进行研究。上世纪八十年代，上海仪表局所属的上海半导体器件八厂等单位生产小功率的兰硅光电池在市场上销售。八十年代后期，受世界太阳能电池产业迅速发展的影响，上海开始建立专业的太阳能电池芯片生产企业和专业的研究机构。近10年多来，随着我国太阳能电池“热潮”的到来，制造太阳能电池组件的企业纷纷建立，而且随着单晶硅和多晶硅材料供应紧张，许多小型的硅单晶企业也蜂涌而至。从上世纪九十年代以来，上海的太阳能电池产业逐步形成规模。

目前，上海地区从事太阳能电池芯片、组件、硅材料和设备生产和技术研究的单位共20余个。

其中，太阳能电池芯片制造的主要企业有上海太阳能科技有限公司、上海泰阳公司等。2006年中芯国际（上海）公司Fab10建成投产，利用8英寸硅单晶硅片制造太阳能电池芯片，开创了上海利用8英寸多晶硅片制造太阳能电池的新范例。目前，上海太阳能电池芯片的产量在30－40MW左右。上海太阳能电池组件的生产企业共有10个左右。主要企业仍有上海太阳能科技有限公司和上海泰阳公司（与上海交通大学合作）等。目前上海太阳能电池组件的产量为50－70MW左右。由于太阳能电池组件生产技术及设备要求较为简单，因此，太阳能电池组件生产企业中，有多家为民营企业。由于国内太阳能电池芯片供应不足，这些企业往往采用进口芯片组装后绝大部分返销境外，仅少数投放国内市场。

近几年来，由于可提供太阳能电池芯片生产的硅单晶片和硅多晶硅片严重短缺，价格不断大幅度上升，例如2003年进口电子级多晶硅每公斤为22－25美元，而2006年进口同样多晶硅的价格上升200％至300％，有些经销商转手倒卖时，价格甚至抬高5至8倍。在这种情况下，许多中小型的硅单晶生产企业蜂涌而至。从上世纪九十年代以来，在上海及周边地区建立中小型太阳能电池硅单晶（或硅多晶）的生产企业达4至5个之多。上海通用硅有限公司和上海卡姆丹克公司（合资企业）是其中有代表性的企业。它们各具有许多直拉单晶炉，可以拉制5.5〃，6〃，6.5〃和8〃直径的硅单晶，形成了可供年产25——30MW太阳能电池芯片的市场。但是由于多晶硅原材料供应不足，这些企业拉制的硅单晶原材料只能供给生产20MW太阳能电池芯片所用。因此，硅材料缺乏已成为抑制上海（乃至全国）太阳能电池产业封装的瓶颈。因此，通过上海与外省市的合作发展多晶硅产业已是涉及到微电子产业和太阳能电池产业的战略问题。

（十）中芯国际（上海）的经验：

中芯国际（上海）为国内集成电路（或半导体器件）芯片制造企业开展太阳能电池芯片或组件生产走出了一条成功之路，从中芯国际（上海）Fab10投产的实践来看，证明了以下事实，即集成电路（或半导体器件）芯片制造企业太阳能电池芯片具有许多有利条件：

●基本工艺相同；

●废旧硅圆片可充分利用，有利于降低制造成本；

●生产线设备基本上可用进口设备或国产设备节省投资；

●太阳能电池芯片制造若延伸至组件制造，更有利于企业获得较好效益。

但由于集成电路（或半导体器件）芯片制造企业的可利用的单晶硅片数量有限，因此当太阳能电池芯片生产规模扩大时必须考虑其他晶体硅的来源

❽ 太阳能单晶硅片生产中，切片的工艺从切方、滚磨、切片、脱胶、清洗、检片的注意事项，特别是切片

101, 单晶制备, 单晶片加工工、AF延工、半导体温差电致冷材料制备工、半导体温差 ...
工、果汁酱加工工、果脯蜜饯加工工、蜜蜂产品加工工、炒货加工工、魔芋切片工、菜

❾ 硅片切割一般有什么难点啊

现在光伏行业兴兴向荣，发展迅速。据不完全统计，现在全国已有两百多家硅片生产企业。2014年中国多晶硅生产规模明显增长，预计全年产量将超过13万吨，和2013年的8万吨相比，同比增加62.5%，其中前三季度多晶硅产量已经达到9.8万吨。硅片产能迅速增长势必带来硅片切割液的需求量增加。但现在硅片切割液呈现的问题依旧比较突出，主要表现在以下五个方面：
1、切割后的表面TTV大，有线痕：由于硅片在切割过程中会发生脆性崩裂或划痕，影响了硅片表面的粗糙度和翘曲度，使得所加工的硅片总厚度存在误差。
2、不耐酸耐腐：由于硅片切割设备在酸性环境下会生锈腐蚀，质量差的切割液会加重腐蚀程度，所以如何防腐防锈是判断硅片切割液优劣的关键所在。
3、使用寿命短：现在很多硅片切割液使用的添加剂质量差，不利于切割后清洗，从而缩短了金刚砂线的使用寿命。
4、产生氢气：切割过程中切屑硅粉由于粒度太细与水反应会释放出氢气，长时间的生产积累会产生安全隐患。
5、生产成本高：目前很多切割液由于技术和使用方法的局限，不能回收利用，无形中又增加了企业的运营成本。
由于这五大难题的客观存在，使得很多硅片生产厂家陷入了困境。不及时解决这个问题，不仅严重影响了生产，更会制约企业的长远发展。
基于以上几大难题，常州君合科技研制出了一种新型的硅片切割液——金刚砂线切割液。它是一种新型产品，主要用于单晶硅、多晶硅等非金属脆硬材料的金刚砂线切割，具有优异的润滑、冷却、防腐、防锈、氢气抑制功能，切割后的硅片表面TTV小，无线痕，并且能够延长金刚砂线的使用寿命。而且无需稀释，可以直接使用在硅片切割的线切割机床上。由于其优越的润滑防锈性能，完美的解决了硅片在切割过程中产生的各种问题，减少了生产成本，从而减轻了企业的负担。

❿ 单晶硅的生产工艺流程

摘要 直拉法和区熔法是制备单晶硅最常用的方法