㈠ 如何計算可控硅上峰壓值
計算可控硅上峰壓值指的是交流電、紋波、脈沖電等等波形中，波形最高點和鎮鉛配最低點的電壓差。家用電網激攜的御指220伏的正半周220乘1.41等於310，副半周220乘1.41等於310，峰壓值為310+310=620伏。
㈡ 請問，可控硅的耐壓值怎麼選定
要看行輪凱負載類型檔喚
感性負載耐壓比工作電壓大1倍桐讓以上
阻性負載耐壓比工作電壓大0.3倍以上
㈢ 可控硅主要參數
可控硅的主要參數非過零觸發-無論交流電電壓在什麼相位的時候都譽圓可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過可控硅的主要參數
1、額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
3、反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
4、控制極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控硅，可以用正知腔或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。
可控硅的觸發過零觸-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。
非過零觸發-無論交流電電壓在什麼相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正
弦交流電的導通角搭虛衫（角相位），來改變輸出百分比。
可控硅的主要參數:
1 額定通態電流（IT)即最大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
2 反向重復峰值電壓（VRRM)或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的
VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
3 控制極觸發電流（IGT)，俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT
一般為幾微安到幾十毫安。
㈣ 怎麼用耐壓儀測可控硅的耐壓！！
可以使用耐壓儀慢慢升壓，同時監測漏電流。當漏電流上升到突然超過10ma時（大功率的可控硅這個值可能是100ma），記錄下當時的施加電壓。用這個記錄的電壓值乘以0.8就是可控硅的額定電壓。
㈤ 可控硅驅動電流怎麼計算
可控硅作為一種開關器件屬於功率器件種類
可控硅的電壓知識:
為什麼ST與PHILIPS的很多產品都是以600V來生產?
例如:
BT131-600D,BT134-600E,BT136-600E,
BT137-600E,BT138-600E,BT139-600E,
BTA06-600C,BTA08-600C,BTA12-600B,
BTA16-600B,BTA24-600B,BTA41-600B........
這是因為功模空率器件的耐壓與市電輸入電壓有直接關系
通常情況下,功率器件的耐壓是市電輸入電壓的三倍
故,正反向耐壓計算公式為:
輸入電壓×3=功率器件敏游的額定電旦拿瞎壓
㈥ 請教可控硅阻容保護 電阻 電容 要怎麼計算
電容的念如選擇:
C=(2.5-5)×10的負8次仔山啟方×If
If=0.367Id
Id-直流電流值
如果整流側採用500A的晶唯畢閘管
可以計算C=(2.5-5)×10的負8次方×500=1.25-2.5μF
選用2.5μF，1kv 的電容器
電阻的選擇：
R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
選擇10歐