缺陷分析常用方法特点及应用场景

㈠ E-C缺陷分析方法适用的场景

你好，你要问的是E-C缺陷分析方法适用的场景是什么吗？E-C缺陷分析方法适用的场景是：
1、改进类型纠正修改；
2、排查清零；
3、负向需求；
4、设计准则；
5、场景库；
6、测试经验。以上场景用E-C缺陷分析方法可以有效的发现软件的缺陷，及时清楚缺陷。E-C全称Effect-CauseDiagram，是一种故障分析的常用方法。

㈡ 常用软件缺陷预防技术和缺陷分析技术有哪些

一般常用的缺陷预防有几个阶段，需求阶段，设计阶段，编码阶段。 第一，在需求阶段，最重要的事情是需求验证。一般验证的几个大项是，功能是否完整，是否考虑性能，有没有模糊需求，有没有考虑安全性，有没有冗余和错误的需求，需求是不是过于苛刻，需求是不是矛盾等方面。一般常用的方法是列出需求检查表，并进一步执行需求/测试 矩阵。 第二，设计阶段，这个阶段主要通过技术评审测试逻辑设计。常用比较规范的作法是建立过程/数据矩阵，也就是CRUD矩阵，把过程影射到实体，把整个程序的数据的生命周期（建立，更新，读取，删除）反映出来。 第三，编码阶段，这个阶段预防措施主要有统一编码规范，代码评审， 单元测试 。统一代码规范一般是开发经理统一要求，代码评审则是互相评审或者开发leader进行评审，最后最重要的则是单元测试，就是一般说的白盒测试。 再来说缺陷分析吧，很多很高深的分析技术也不很实用，我只介绍一点常用的分析方法。 1.模块的缺陷分布，一般用柱状图或饼状图，就是每一个功能模块发现bug的比例，发现bug最多的模块证明在发布以后需要更多的维护。 另外，历史数据可以参照，譬如上一个版本在哪个模块发现的bug比例对这个版本就是一个参考。如果，某个模块发现bug的比例比上个版本大幅下降，则很可能说明该模块还需要更多测试。 2.缺陷的起因分布，一般用柱状图或饼状图，一般可分为架构缺陷、功能缺陷、易用性缺陷、性能缺陷、安全性缺陷、界面文字缺陷。一般如果架构缺陷占的比例较大，则说明设计有很大问题。 3.按照不同发现人员的缺陷分布，一般用柱状图或饼状图，一般分为测试人员发现，开发人员发现，beta测试发现，外部客户发现。如果测试人员发现的bug低于某个比例，证明质量保证测试不足。 4.按照不同方式的缺陷分布 ，一般有需求审查，设计测试，代码走查，JAD，手工测试， 自动化测试 ，白盒测试。一般来说，如果通过需求审查，设计测试，代码走查，JAD发现的bug比重很低则说明测试前期重视不够，另外，在手工测试和自动化测试之间的比例也能说明自动化测试的贡献度。 5.缺陷差额分析，就是已经发现的和已经解决的曲线关系，以时间为横轴，两者越接近说明产品质量越高 6.按照时间段的缺陷分布，一般用时间为横轴的曲线图表示，主要说明在哪个阶段发现的bug最多，对测试总结有指导意义 7.Rayleigh分析，就是俗称的零缺陷追踪法，一般截至某个时间点发现的缺陷总数和时间有一个函数关系（一个复杂的数学函数），一般用这个函数来推测经过多少天测试之后软件中大概还有多少个bug，以及交付到用户手中之后大概还能出现多少个bug。不过由于本人严重怀疑该方法的实用性，我还没用过。 一不小心，罗罗嗦嗦这么多，希望对大家有帮助，哪怕是一点点，也希望大家多探讨探讨。

㈢ e-c缺陷分析方法通常采用什么方式进行分析

第一步：先两端（首：诱发时间 尾：故障症状）
第二步：再中间（导致的直接缺陷）
第三步：补节点（补充场景的事件及中间流程）
第四步：加强防护措施（包括正向和失效防护措施）
第五步：找隐患，总结负向经验（问题/隐患、改进措施、改进类别、完成时间、责任人）
注：改进类型纠正修改、排查清零、负向需求、设计准则、场景库、测试经验。

㈣ 根因分析是缺陷分析的一种有效方法

根因分析是缺陷分析的一种简单有效的方法。

根本原因分析(Root Cause Analysis，RCA)是一种产品质量管理工具，但现在不仅仅用于对产品质量的管理，在很多领域对问题原因进行分析时都用到该工具。

根因分析法（RootCauseAnalysis，RCA）是一项结构化的问题处理法，用以逐步找出问题的根本原因并加以解决，而不是仅仅关注问题的表征。

㈤ 半导体缺陷 有哪些表征方法谢谢啦

GaN LED自1995年日本中村先生成功研制以来，近几年其技术以惊人的速度迅猛发展。在可靠性方面，虽然在上、中、下游研发和生产等各个环节中备受重视，但是外延材料对器件可靠性和性能的影响研究，受上游至下游产业学科跨度大的限制，分析实验难度较高；与其他半导体器件一样的有些理念虽为业内人士所知晓，因缺少对应的分析实验和规范的试验方法，故在GaN-LED方面无明确的对应关系。本文通过试验并分析GaN-LED外延片晶体质量对其LED芯片光电参数分布及器件性能的影响，提出较系统的实验方法，验证了LED外延晶体缺陷对器件可靠性的基础作用，为外延材料结构与生长工艺的优化和改善提供依据。

1 试验概述

试验晶片为采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法，在2英寸（50mm）蓝宝石衬底上生长的GaN基LED外延结构[1-2]。外延生长完成后，首先通过高倍金相显微镜检查外延层表面形貌，再用Bede-Q2000双晶X光衍射（DMXRD）仪对选定外延片晶格结构特性进行分析测试。然后采用常规的GaN-LED芯片工艺，将外延片制成330μm×300μm的LED芯片，其典型的外延材料和芯片结构如图1。采用LED-617型光电参数测试仪，进行芯片光电参数测试。用环氧树脂将管芯封装成蘑菇状Φ5mm的LED单灯器件供可靠性试验。LED器件参数采用SPC-4000LED光电参数测试仪测量，ESD试验则采用ETS910静电模拟发生器考核器件抗静电能力，而样品电老化试验则在自己研制的恒流老化仪上进行。

2 外延与芯片检测

在外延片表面外观检查中，选取较为典型的外观作为样片进行跟踪对比分析：外延片样品（Ep1）表面存在明显缺陷（图2），同时在（Ep1）这一炉次中和其他正常炉次中各选取一片表面无明显缺陷样品（Ep2和Ep3），以便跟踪对比分析。

2．1 X射线双晶衍射（XRD）分析

对于外延材料质量的评估，除检查表观特征外，可用X射线双晶衍射方法、光致发光谱（PL）、霍尔效应测试等对外延片晶体质量进行检测。其中X射线双晶衍射方法具有独特的优点，即可以无损伤、准确、制样简单地进行材料检测，可精确地确定晶格结构参数，尤其是晶格应变，特别适合测量外延晶片的结构特性。因此，本文选择了缺陷附近和远离缺陷两类区域，通过测量其双晶回摆曲线，以了解外延层晶格常数的微小差异、晶格扭曲、微小应变、缺陷附近的应力场情况以及晶片的弹性或范性弯曲等特征[3]。图3为Ep1-1缺陷附近的回摆曲线。其中主峰为GaN外延层的（0002）衍射峰，其左右两侧InGaN多量子阱的衍射峰依然清晰，可见双晶回摆曲线是缺陷附近晶格结构参数的整体效果。

详细比较其他区域和其他晶片的双晶回摆曲线，容易观察到GaN（0002）衍射主峰半峰宽的差异，测试结果见表1。缺陷附近半峰宽明显大于远离缺陷区域和正常晶片，晶格失配较正常严重，表明缺陷不只影响观察到如图2所示的1mm大小区域，它将导致其附近区域晶格的畸变。

2．2 芯片光参数分布图

将外延样片按常规的GaN-LED芯片工艺，同批生产制成330μm×300μm的芯片管芯，采用LED-617型光电参数测试仪进行光电参数测试，输出相应参数分布图。其中Ep2、Ep3对应的电致发光（EL）分布未见异常，而样片Ep1的（EL）分布如图4所示。从图4（a）清晰显示，发光强度随离开样片中心区域而减弱，多数不发光区域位于样片边沿；最为显着的不发光区域与样片制成管芯前缺陷区域一致，如图中所标，不发光区域尺度明显大于外延层缺陷的表观尺度，可见外延片中的缺陷将直接导致周边区域管芯的失效。而其他区域管芯波长分布较均匀，如图4（b）所示。由于发光波长取决于外延层中多量子阱宽度和势垒的高度，管芯波长分布的均匀性反应了外延工艺过程的精确性。综合上述两方面的结果，可以认为，外延层的缺陷起始于衬底，如果外延过程未能得到抑制，它造成缺陷及附近外延层所制成的LED芯片丧失发光特性；此外区域虽然失配严重，但芯片光电参数未见异常。

3 可靠性试验结果的验证与分析

按照设定的试验分析比较方案，分别从三片对应外延片中抽取合格芯片样品，进行可靠性分析试验。芯片样品组Cp1-1抽自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的参数正常芯片；样品组Cp1-2分别抽自Ep1-2外观缺陷片远离缺陷区域的上下左右四个区域；样品组Cp2和Cp3分别抽自Ep2和Ep3的上下左右四个区域。同时封装成器件后，进行可靠性试验，其中一组进行抗静电能力试验，两组做电老化加速寿命试验。

3．1 对抗静电能力试验的影响[4]

静电放电（ESD）容易引起GaN基发光二极管pn结的击穿，造成器件失效，因此抗静电能力的高低直接体现LED器件可靠性。采用晶体管图示仪作为试验前后的电性能参数测试，ETS910静电模拟发生器对待测样品进行放电，条件为标准人体模型，正反向连续放电3次，间隙为1s，测试结果（表2）表明，当静电电压较低时，所有样品的抗静电能力未见差别，但随着电压的上升，差别明显加大。取自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的样品Cp1-1组的抗静电能力最差，而其他三组差别不明显。

在外延材料结构中，InGaN有源层的势阱、势垒的宽度窄，器件ESD失效机理相对复杂[5]，试验结果统计显示，晶体质量较差、失配严重所对应的器件被静电击穿而失效的概率较其他器件要大得多。可见当器件受到静电冲击时，外延结构晶体中的缺陷及其附近晶格畸变严重和位错密度高的薄弱位置将容易被击穿。

3．2 电老化试验[6]

发光二极管的退化主要包括管芯和环氧树脂等缓慢退化。在本文的试验中，环氧树脂退化的影响将尽可能降低。由于GaN基LED可靠性水平的不断提高，其超长的工作寿命，已不可能通过正常应力条件下的寿命试验来验证，故采用两种加速条件进行老化试验：①采用高温恒流的高恒定热电应力加速老化试验，试验条件为正向电流40mA，环境温度60℃，时间96h，其试验结果见表3；②采用高恒定电流应力加速老化试验，试验条件为正向电流30mA，环境温度25℃，时间1008h，结果见表4。光通量退化曲线如图5所示。

试验结果表明，四组样品光输出退化趋势基本相似，体现样品器件的电老化总体综合情况，其之间的差异是由芯片造成的。无论是高温恒流加速老化或者是高恒定电流老化试验，取自Ep1-1外观缺陷片缺陷附近区域的样品Cp1-1组的光衰都最大，因所有样品的封装条件一样，故器件光输出退化速率的差别应为管芯所造成。由于缺陷对载流子具有较强的俘获作用，在有源层中形成无辐射复合中心，使光效降低，而注入载流子的无辐射复合又使能量转化为晶格振动，导致缺陷和位错等造成载流子泄漏和非辐射复合中心的增多，使得器件内量子效率下降速率加快[7]。