可控电阻器检测方法

A. 如何测量可控硅好坏

单向可控硅用万用表测量好坏
用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。

正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。
这种测量方式是有局限性的，当A、K之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小，也难以判别两控制极是否已经短路
如阴极A接黑表笔，阴极K接红表比时，万用表的指针发生偏转，就说明这单向可控硅已经遭到损坏。

B. 双向可控硅怎么测量好坏

使用万用表检测单向晶闸管。

用电阻x1kΩ测量A和K之间的电阻，正反向电阻值均接近无穷大；用电阻x10Ω测量G和K之间的电阻，阻值范围在十几欧姆到一百欧姆之间，且功率越高，欧姆值越小。

G和K之间的正负电阻值相等或相差不大，说明单向晶闸管的G和K与一般三极管的发射极结不同，具有明显的正反向电阻差异。

这种测量方法存在局限性，当A和K处于开路状态时，无法进行质量检测。同时，G和K之间的有些电阻值极小，难以判断两个控制电极是否已经短路。

如果负极A接黑色探针，负极K接红色探针，万用表指针会发生偏转，说明单向晶闸管已经损坏。