数字igbt好坏的测量方法

Ⅰ 如何用万用表测量判断电磁炉IGBT管的好坏

一、常见的IGBT管管脚排列顺序，有散热片类型的，散热片跟C极是相通的，这种类型在有的电路中需要做绝缘措施。
二、IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。具体方法如下：
1、检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度。
2、然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管(正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻)，上述所测值均为无穷大。
3、最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩl左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的C、C极间正向压降约为0.5V。
三、如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏。
四、如果测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

(1)数字igbt好坏的测量方法扩展阅读：
1、直流电压的测量，如电池、随身听电源等。首先将黑表笔插进“com”孔，红表笔插进“V
Ω
”。把旋钮选到比估计值大的量程（注意：表盘上的数值均为最大量程，“V－”表示直流电压档，“V～”表示交流电压档，“A”是电流档），接着把表笔接电源或电池两端；
保持接触稳定。数值可以直接从显示屏上读取，若显示为“1.”，则表明量程太小，那么就要加大量程后再测量。如果在数值左边出现“-”，则表明表笔极性与实际电源极性相反，此时红表笔接的是负极。
2、交流电压的测量。表笔插孔与直流电压的测量一样，不过应该将旋钮打到交流档“V～”处所需的量程即可。交流电压无正负之分，测量方法跟前面相同。无论测交流还是直流电压，都要注意人身安全，不要随便用手触摸表笔的金属部分。
参考资料来源：网络-万能表

Ⅱ 怎么测量IGBT好坏方法

挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。 2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发时极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。 3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。

Ⅲ 请问IGBT模块好坏检测的方法

检测IGBT模块的好坏的方法：

1、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。

在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。

2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发射极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。

然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。

3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 ( P 一 MOSFET ）的好坏。

(3)数字igbt好坏的测量方法扩展阅读：

IGBT模块注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：

1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;

2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;

3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。

在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。

保存注意事项：

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿。

2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合。

3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方。

4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物。

5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。

Ⅳ 如何用数字万用表判断igbt的好坏

给你个我收集的资料，你参考
IGBT管的万用表检测方法
IGBT
管的好坏可用指针万用表的
Rxlk
挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量
PN
结正向压降进行判断。检测前先将
IGBT
管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测
G
、
e
两极及
G
、
c
两极的电阻，对于正常的
IGBT
管（正常
G
、
C
两极与
G
、
c
两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的
IGBT
管正常时，
e
、
C
极间均有
4k
Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接
c
极，黑笔接
e
极，若所测值在
3
．
5k
Ω
l
左右，则所测管为含阻尼二极管的
IGBT
管，若所测值在
50k
Ω左右，则所测
IGBT
管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，
IGBT
管的
C
、
C
极间正向压降约为
0
．
5V
。
综上所述，内含阻尼二极管的
IGBT
管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得
IGBT
管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得
IGBT
管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中
IGBT
管多为击穿损坏。

Ⅳ 怎样测量、判断IGBT的好坏

IGBT管好坏的检测
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测，或用数字万用表的“ ”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管，上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e、c极间正向压降约为0.5V。
综上所述,内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。
提示：正常的IGBT管，G、e两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、c极间均有4kΩ正向电阻。
IGBT管放大能力的初略判断
在检测IGBT管的放大能力之前，应先将IGBT管三个引脚短路放电；然后将指针万用表置于Rx1k挡，用红表笔接IGBT管e极，黑表笔接管子c极，此时万用表指针不偏转，即阻值为无穷大；接着用黑表笔碰触一下G极后，再将黑表笔接管子c极，测c、e极间电阻，这时万用表指针偏转，即c、e极问电阻值由无穷大减小到某一值。上述现象说明IGBT管具有一定的放大能力，所测得的阻值越小，IGBT竹的放大能力越强。
提示：由于IGBT管G极内部电路具有电容特性，能够储存一定量的电荷，因此每次检测IGBT管时，都应先短路三极，以防引起误判。
值得注意的是，部分IGBT管，如K25T120、GT40T101等，按上述方法用指针万用表Rx1k挡所测阻值均为无穷大，因此不能判断管子的放大能力。这时换用Rx10k挡检测判断即可。例如K25T120型IGBT管，使用MF500型万用表R×10k挡，红表笔接e极，黑表笔接c极时，阻值为无穷大；若这时用手指同时接触一下黑表笔与G极，阻值立即降至110kΩ；若用黑表笔触一下G极，再次测得c、e极间正向电阻已降为16kΩ左右。
综上所述，IGBT管放大能力的初略判断方法类似于三极管放大倍数的判断，其判断示意图如图所示。
另外通过上述方法可以快速判断出特殊外形的IGBT管的c、e极，剩下一脚便为G极。

Ⅵ 哪位高手教教我如何检测IGBT模块的好坏

简单方法检测igbt模块的好坏

l
、判断极性首先将万用表拨在
r×1k
。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（
g
）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（
c
)
：黑表笔接的为发射极（
e
）。

2
、判断好坏将万用表拨在
r×10kq
档，用黑表笔接
igbt
的集电极（
c
)
，红表笔接
igbt
的发射极
(
e
)
，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（
g
）和集电极（
c
)
，这时工
gbt
被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（
g
）和发射极（
e
)
，这时
igbt
被阻断，万用表的指针
回零。此时即可判断
igbt
是好的。

3
、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测
igbt
。注意判断igbt
好坏时，一定要将万用表拨在
r×iok挡，因
r×ikq
档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使igbt
导通，而无法判断
igbt
的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管
(
p
一
mosfet
）的好坏。

Ⅶ 怎样判断IGBT管的好坏怎么检测它的引脚

将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1
e1、c2
e2之间以及栅极G与
e1、
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
逆变器IGBT模块检测：
将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1
e1、c2
e2之间以及栅极G与
e1、
e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性，
万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。

Ⅷ 如何检测变频器igbt模块的好坏

igbt的测量方法：数字式万用表用二极管档位，红色表笔放在直流母线负极，黑表笔点u
v
t3相上会有管压降，要是坏了就会导通，这是测量下半桥。黑表笔放在直流母线正极上，红表笔放在u
v
t3相上，也是有管压降的。igbt的测量是根据施耐德变频器为例的，仅供参考。